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80V MOSFET mit führendem RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ

2. Juni 2025, 8:00 Uhr | Iris Stroh

80V MOSFET von Vishay Intertechnology im PowerPAK 8x8SW-Gehäuse bietet branchenführenden RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ für einen höheren Wirkungsgrad

Um höhere Effizienzen und Leistungsdichten für industrielle Anwendungen zu erzielen, hat Vishay Intertechnology einen neuen 80V-TrenchFET Gen IV n-Kanal-Leistungs-MOSFET im PowerPAK 8x8SW Bond Wireless (BWL)-Gehäuse mit branchenführendem On-Widerstand vorgestellt.

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Im Vergleich zu Konkurrenzprodukten mit gleicher Grundfläche bietet der SiEH4800EW von Vishay Siliconix einen um 15 Prozent geringeren On-Widerstand und gleichzeitig einen um 18 Prozent reduzierten RthJC-Wert.

Mit einem On-Widerstand von lediglich 0,88 mΩ bei 10 V minimiert das vorgestellte Bauelement Leitungsverluste zur Verbesserung des Wirkungsgrads und verbessert gleichzeitig das thermische Verhalten mit einem niedrigen maximalen RthJC von typischerweise 0,36 °C/W. Mit seiner Grundfläche von 8 mm x 8 mm benötigt das platzsparende Bauelement 50 Prozent weniger Platz auf der Leiterplatte als ein MOSFET im TO-263-Gehäuse und ist dabei nur 1 mm hoch.

Das Gehäuse des SiEH4800EW verfügt über zusammengeführte Source-Anschlüsse (fused leads), um die Lötfläche des Source-Pads auf 3,35 mm² zu vergrößern, was dem Vierfachen der herkömmlichen Pin-Lötfläche entspricht. Dadurch wird die Stromdichte zwischen dem MOSFET und der Leiterplatte als auch das Risiko der Elektromigration verringert und eine robustere Konstruktion ermöglicht. Darüber hinaus verbessern die verzinnten Seitkontakte (wettable flanks) des Bauelements die Lötbarkeit und erleichtern die visuelle Überprüfung der Zuverlässigkeit der Lötstellen.

Der MOSFET eignet sich ideal für Synchron-Gleichrichter-Schaltung und OR-ing-Topologien. Typische Anwendungen sind Motorantriebssteuerungen, Elektrowerkzeuge, Schweißgeräte, Plasmaschneidmaschinen, Batteriemanagementsysteme, Robotik und 3D-Drucker. Für diese Anwendungen bietet das Bauelement einen hohen Temperaturbereich bis +175 °C, während sein BWL-Design die parasitäre Induktivität minimiert und gleichzeitig die Strombelastbarkeit maximiert.

Der MOSFET ist RoHS-konform, halogenfrei sowie vollständig Rg- und UIS-getestet. Muster des SiEH4800EW sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 13 Wochen erhältlich.