Eine Milliarde Dollar für Siliziumkarbid
Gregg Lowe baut Cree komplett um
Auf der PCIM 2019 hat Gregg Lowe, der CEO von Cree, angekündigt, eine Milliarde US-Dollar in nächsten fünf Jahren zu investieren. Ziel ist es, die Produktionskapazitäten bei SiC-Wafern um Faktor 30 zu erhöhen. Damit baut Lowe weiter fokussiert Cree um. Das war auch dringend nötig.
Wir alle waren sehr gespannt. Im Vorfeld der PCIM Europe 2019 hatte Cree das Gerücht gestreut, dort etwas wirklich Großes zu verkünden. Und so waren am Nachmittag des ersten Messetages auf deren Stand gekommen – nicht nur wir von der Presse, sondern auch hochrangige Vertreter von Marktbegleitern und Kunden von Cree mischten sich unter den Pulk von Menschen.
Wie angekündigt, betrat dann Gregg Lowe, der CEO des Marktführers für Siliziumkarbid, pünktlich um 14 Uhr die kleine Bühne und ließ gleich im ersten Satz die Bombe platzen: Cree wird in den nächsten fünf Jahren eine Milliarde US-Dollar in den Ausbau der SiC-Fertigung investieren! Damit steige die Fertigungskapazität an SiC-Rohwafern um den Faktor 30 gegenüber dem Jahr 2017! Und das bei einem Unternehmen, das nach eigener Aussage bereits 70 Prozent des Rohwafer-Geschäfts hat!
Das ist das richtige Signal an alle, die darüber nachdenken, SiC-Halbleiter einzusetzen. Nachdem die technischen Fragen nun ausgeräumt sind, geht es derzeit einzig und allein um Preis und Verfügbarkeit. Und mit dieser Investition sollte auch dieser Flaschenhals nachhaltig beseitigt sein.
Jobangebote+ passend zum Thema
Sanierer mit klarer Vision
Seit Gregg Lowe im Herbst 2017 das Ruder übernahm, hat sich Cree neu erfunden. War das Unternehmen bislang vor allem als Hersteller von LED-Chips und -Leuchten bekannt, ist es jetzt mehr denn je ein Hersteller von Leistungshalbleitern. Damit beweist Lowe wie schon bei Freescale (heute: NXP Semiconductors) seine Qualitäten als Sanierer mit klarer Vision.
Gerade der Geschäftsbereich Lighting galt als Sorgenkind. War dieser im Geschäftsjahr 2016 mit 889 Millionen US-Dollar noch für 55 Prozent des Konzernumsatzes verantwortlich, waren es im im Geschäftsjahr 2018 nur noch 568 Millionen US-Dollar und ein Umsatzanteil von 38 Prozent. Zum Vergleich: Im gleichen Zeitraum verdoppelte sich fast der Umsatz von Wolfspeed, dem SiC- und HF-GaN-Bereich von Cree, von 176 auf 328 Millionen US-Dollar. Ziel sind 850 Millionen US-Dollar bis 2022.
Diese Entwicklung im Bereich Lighting war besorgniserregend. Auf der electronica 2018 fragte ich Lowe, ob er diesen Geschäftsbereich abstoßen wolle. Er meinte jedoch, er wolle diesen wieder auf Spur bringen. Wenige Monate später, im März 2019, hat er es dann doch verkauft, wobei er mir gegenüber nun betonte, dass er die Schieflage vor dem Verkauf geklärt habe. Es bleibt jedoch festzustellen, dass er für den ehemals größten Geschäftsbereich von Cree nur noch rund 310 Millionen US-Dollar von Ideal Industries, dem Käufer, bekommt. Ein trauriges Ende, wie ich meine. Aber das unterstreicht, dass Gregg Lowe nicht sentimental ist, sondern bereit, alte Zöpfe abzuschneiden. Das hatte er vorher schon bei Freescale bewiesen.
Wo fließt die eine Milliarde rein?
Der Kapazitätsausbau steht auf drei Säulen:
- Erstens entsteht für 450 Millionen US-Dollar eine »Materials Mega Factory« auf dem Cree-Campus in North Carolina, in der das Rohmaterial aufgewachsen und dann in Wafer zersägt wird.
- Zweitens fließen weitere 450 Millionen US-Dollar in den Ausbau einer bislang leer stehenden Wafer-Fab auf dem Cree-Campus, die nun zunächst mit 150-mm-Equipment gefüllt wird. Laut Lowe soll die »North Fab« aber in der Lage sein, recht einfach auf 200-mm-Wafer umzustellen, sobald diese zur Verfügung steht. Das könnte Mitte des nächsten Jahrzehnts der Fall sein.
- Drittens gehen weitere 100 Millionen US-Dollar in andere Aspekte im Zusammenhang mit dem Ausbau.
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
5. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Hochkarätige Keynote-Sprecher
Wachstumsmarkt Siliziumkarbid
SK Siltron investiert massiv in SiC-Wafer
Siliziumkarbid / Power-Module
Cree stellt SiC-Modul-Plattform WolfPACK vor
Cree fokussiert sich auf SiC und GaN
LED-Geschäft geht für 300 Mio. Dollar an SMART Global Holdings
Fünfjahresvertrag abgeschlossen
GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial
Aktualisierter Kapazitätsausbauplan
Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York
Polnisches Institut für Kernphysik
SiC-Kristalldefekte modellieren
Cree und ON Semiconductor
Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer
Interview mit Gregg Lowe, Cree
Warum wir eine Milliarde Dollar investieren
Automotive / Power-Management
MOSFET statt Relais
Infineon / Switched-Capacitor-Wandler
Bis zu 99 Prozent Wirkungsgrad bei 600 W
Neuartiges Leistungsmodul
Fraunhofer-Forscher mit Young Engineer Award ausgezeichnet
Future Automotive Supply Tracks
Volkswagen wählt Cree zum Siliziumkarbid-Partner
LED/Lighting
Cree verkauft Geschäftsbereich Lighting
Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer
Auch STMicroelectronics bindet sich langfristig an Cree
Yole Développement
Die Automobilindustrie ist der Motor für Siliziumkarbid
Cree setzt für die Zukunft klar auf SiC
Zurück in die Zukunft!
Gregg Lowe, CEO von Cree und Wolfspeed
»Wolfspeed ist nicht mehr unser hässliches Entlein«
Hochfrequenz-Leistungskomponenten
Cree kauft Geschäftsbereich von Infineon
Infineon und Cree
Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer
Erdbeben im Cree-Management
Führungskräfte verlassen Unternehmen
Cree
Gregg Lowe wird neuer CEO
Exklusiv-Interview mit Freescales CEO Gregg Lowe
»Ich habe den positiven Spirit bei Freescale neu entfesselt«
Neue Ausrichtung
CEO Gregg Lowe krempelt Freescale um
