Elektroniknet Logo

Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron


Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Innoscience profitiert vom Handelsstreit

Der Marktanteil des in China ansässigen Unternehmens Innoscience dürfte in diesem Jahr voraussichtlich auf 20 Prozent steigen, sodass es den dritten Platz unter den GaN-Anbietern einnimmt. Insbesondere deren ICs für Schnellladegeräte tauchten nun zum ersten Mal in den Lieferketten der führenden Notebook-Hersteller auf.

Während die 8-Zoll-Wafer-Fabrik des Unternehmens in Suzhou bereits mit der Serienfertigung begonnen hat, will Innoscience seinen Wettbewerbsvorteil, der sich aus seinem IDM-Geschäftsmodell ergibt, schrittweise auf die sich schnell entwickelnde GaN-Branche ausweiten. Daher forciert es derzeit nicht nur seine Aktivitäten in den Bereichen Lidar, OBC (On-Board-Charger) für Elektrofahrzeuge und LED-Stromversorgungen, sondern plant auch, seinen Marktanteil im nächsten Jahr durch ein vielfältiges Produktangebot weiter auszubauen.

Nebenbei bemerkt fördert die chinesische Regierung auch zunehmend die heimische Halbleiterindustrie, denn der anhaltende Handelsstreit zwischen China und den USA hat Huawei und andere Unternehmen in der nachgelagerten Lieferkette dazu gezwungen, mögliche Risiken in der Lieferkette neu zu bewerten. Zusammengenommen haben diese Faktoren nun dazu geführt, dass sich für chinesische Anbieter von Wide-Bandgap-Halbleitern optimale Möglichkeiten ergeben haben, einheimische Alternativen sowohl zu qualifizieren und zu validieren als auch zu fertigen.

China investiert in Wide-Bandgap-Halbleiter

Untersuchungen von TrendForce zufolge investierte China im Jahr 2020 in etwa 25 Projekte, um die heimischen Fertigungskapazitäten für Wide-Bandgap-Halbleiter zu erweitern (ausgenommen GaN-basierte optoelektronische Materialien und Bausteine). Diese Projekte beliefen sich auf insgesamt mehr als umgerechnet 9,4 Mrd. Euro – eine Zunahme von 180 Prozent im Vergleich zum Vorjahr.

Insbesondere die marktgängigen Produkte, die auf von SiC-Substraten basieren, werden in China in erster Linie auf 4-Zoll-Wafern hergestellt, aber gegenwärtig wird dort auf 6-Zoll-Wafer (150 mm) umgestellt. Obwohl sich die technologische Kluft zwischen chinesischen Unternehmen und ihren globalen Mitbewerbern rasch verringert, ist man in China in Bezug auf die Kristallqualität immer noch deutlich unterlegen. Dies bedeutet, dass der Eigenversorgungsanteil an hochwertigen SiC-Substraten relativ gering ist.

Die Daten von TrendForce deuten darauf hin, dass im ersten Halbjahr 2021 in China etwa sieben Produktionslinien für GaN-on-Si-Wafer installiert waren, während sich in China derzeit mindestens vier Produktionslinien für GaN-Bausteine im Bau befinden. Auf der anderen Seite verfügt China über mindestens 14 Produktionslinien (einschließlich derjenigen, die für Testläufe vorgesehen sind) für 6 Zoll große SiC-Wafer.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

  1. Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron
  2. Innoscience profitiert vom Handelsstreit

Das könnte Sie auch interessieren

Verwandte Artikel

Navitas Semiconductor, Power Integrations Inc., Power Integrations