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Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

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© STMicroelectronics

Eine neue Familie von GaN-Leistungstransistoren mit 6%0 V hat STMicroelectronics vorgestellt. Das erste Produkt des PowerGaN-Portfolios wird bereits produziert, weitere Bausteine mit unterschiedlichen Kenndaten und in verschiedenen Gehäusen sollen bald folgen.

Der erste Baustein der neuen G-HEMT-Transistorfamilie von STMicroelectronics ist der SGT120R65AL mit 650 V Nennspannung. Dieser wartet mit einem maximalen Einschaltwiderstand RDS(on) von 120 mΩ, einem Maximalstrom von 15 A und einem Kelvin-Anschluss für eine optimale Gate-Ansteuerung auf. Dieses Produkt wird im SMD-Gehäuse PowerFlat 5x6 HV angeboten und kostet 3,00 US-Dollar (ab 1.000 Stück). Zu seinen typischen Anwendungen gehören PC-Netzteile, USB-Steckernetzteile und kabellose Ladelösungen.

Bei den Transistoren der G-HEMT-Familie handelt es sich um selbstsperrende Transistoren vom Anreicherungstyp (Enhancement Mode) ohne Rückwärtserholladung Qrr, die sich laut Hersteller einfach parallelschalten lassen und für Anwendungen mit sehr hoher Schaltfrequenz und hoher Leistung geeignet sind.

Weitere in der Entwicklung befindliche GaN-Transistoren mit 650 V Sperrspannung sind derzeit als Entwicklungsmuster verfügbar. Dabei handelt es sich um den SGT120R65A2S mit einem RDS(on) von 120 mΩ in einem laminierten Gehäuse der Bauform 2SPak, das ohne Wire-Bonding auskommt und so für mehr Effizienz und Zuverlässigkeit in Anwendungen mit hoher Leistung und hohen Schaltfrequenzen sorgen soll, sowie die Versionen SGT65R65AL und SGT65R65A2S, beide mit einem RDS(on) von 65 mΩ und im PowerFLAT 5x6 HV bzw. im 2SPak. Der Beginn der Massenproduktion dieser Bauelemente wird für das zweite Halbjahr 2022 erwartet.

Zusätzlich soll ab dem dritten Quartal 2022 der zur G-FET-Familie gehörende Kaskoden-GaN-Transistor SGT250R65ALCS mit einem RDS(on) von 250 mΩ in der Gehäusebauart PQFN 5x6 bemustert werden. Die G-FET-Familie besteht aus sehr schnellen Transistoren mit sehr kleinen Werten für die Qrr. Diese Kaskoden-FETs vom Verarmungstyp (Depletion Mode) mit standardmäßiger Silizium-Gate-Ansteuerung sind für ein breites Spektrum von Leistungsanwendungen vorgesehen.

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