onsemi expandiert bei Siliziumkarbid
Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache
Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität für SiC-Boules (Rohkristalle) im Vergleich zum Vorjahr verfünffacht. Dies soll dazu beitragen, dass kritische Komponenten für Kunden sicher geliefert werden können.
Nur wenige Tage, nachdem US-Präsident Joe Biden den CHIPS and Science Act unterzeichnet hat, hat onsemi sein Siliziumkarbid-Werk (SiC) in Hudson, New Hampshire, eingeweiht. Zahlreiche Ehrengäste, angeführt von der US-Handelsministerin Gina Raimondo, unterstrichen die Bedeutung dieses Ereignisses und zeigten, wie wichtig die Halbleiterfertigung in den Vereinigten Staaten ist.
Mit diesem Standort steigt die Fertigungskapazität für SiC-Boules im Vergleich zum Vorjahr um das Fünffache, und die Zahl der Mitarbeiter in Hudson soll sich bis Ende 2022 fast vervierfachen. Durch die Erweiterung erhält onsemi die volle Kontrolle über die Lieferkette seiner SiC-Produktion, angefangen bei der Beschaffung von SiC-Pulver bis hin zur Auslieferung der fertig verkapselten Bauteile. Damit will das Unternehmen seine Kunden zuverlässig beliefern.
Der gesamte adressierbare SiC-Markt dürfte von 2 Mrd. US-Dollar im Jahr 2021 auf 6,5 Mrd. US-Dollar im Jahr 2026 wachsen, wobei der Markt um durchschnittlich 33 Prozent pro Jahr wachsen dürfte. onsemi ist nach eigener Aussage der einzige große Anbieter von SiC- und IGBT-Lösungen, der die gesamte Wertschöpfungskette abdeckt.
Während der Telefonkonferenz zu den Ergebnissen des zweiten Quartals kündigte das Unternehmen für die nächsten drei Jahre Umsätze in Höhe von 4 Mrd. US-Dollar mit SiC an, die durch langfristige Liefervereinbarungen mit einer breiten Kundenbasis erzielt werden. Damit wird sich der Umsatz mit SiC im Jahr 2022 gegenüber dem Vorjahr verdreifachen und im Jahr 2023 die 1-Milliarde-Dollar-Grenze überschreiten. Dies unterstreicht die Fortschritte von onsemi auf dem Weg zur Marktführerschaft bei SiC.
»Neben der marktführenden Effizienz unserer Produkte ist unsere vertikal integrierte End-to-End-Lösung in einem von Lieferengpässen geprägten Umfeld ein überzeugender und differenzierender Wettbewerbsvorteil«, betonte Simon Keeton, Executive Vice President und General Manager Power Solutions Group bei onsemi. »Wir haben bereits auf ein zweites Gebäude expandiert, da wir unsere Substratkapazität erhöht haben. Außerdem wollen wir unsere Kapazitäten weiter ausbauen, damit wir unsere eigenen hochmodernen SiC-Wafer für Kundenprodukte beschaffen können.«
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
SiC-Fab von Wolfspeed im Saarland
Kampfansage an STMicroelectronics und Infineon
Mitsubishi Electric
Neue Wafer-Fab für SiC-Leistungshalbleiter
Kommentar / Neue Waferfab von Wolfspeed
Verliebt ins Saarland
Wolfspeed und ZF
SiC-Waferfab für ca. 3 Mrd. Euro kommt ins Saarland
Siliziumkarbid-Material
Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus
Wachstum bei Monolithic Power Systems
Erfolg durch Diversifizierung
Markt&Technik-RT Leistungshalbleiter
Von der Allokation zum Soft Landing
Hochintegrierte Motorantriebs-ICs
Mit integrierter Systemfehlerdiagnose
DC/DC-Wandler im MicroModul-Format
Kompakt und leistungsfähig
Weitere Milliarden für SiC-Fertigungen
Hoffen auf ein Soft Landing
Leistungshalbleiter-Markt
»Das Marktwachstum geht deutlich zurück«
STMicroelectronics
Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania
Siliziumkarbid
onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache
Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm
Tiefe Einblicke in die Gen 4
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)
Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)
Bei SiC ist noch viel Luft nach oben
Wolfspeed verzehnfacht Kapazität
Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)
Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden
Automotive-Branche
Versorgung mit Halbleitern verbessert sich deutlich
Siliziumkarbid-Wafer
Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI
GaN-Marktführer diversifiziert sich
Navitas übernimmt GeneSiC
Marktanalyse von TrendForce
Umsatz bei Siliziumkarbid vervierfacht sich in vier Jahren
PCIM-Nachlese
Der SiC-Tsunami kommt!
Interview mit Prof. Leo Lorenz, PCIM
Von neuen Wegen bei Siliziumkarbid bis zum European Chips Act
Marktanalyse von Yole
SiC-Anbieter entfalten sich entlang der Wertschöpfungskette
Siliziumkarbid-Wafer
II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung
SiC- und GaN-Komponenten
48 Prozent Wachstum pro Jahr
Neue Wafer-Fab in Malaysia
Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN
Interview mit Dr. Peter Friedrichs
Infineon will Siliziumkarbid-MOSFETs raus aus der Nische bringen
Neuer Fünfjahresplan
China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid
Erweiterte Siliziumkarbid-Kapazitäten
onsemi übernimmt GTAT für 415 Mio. US-Dollar
