STMicroelectronics
Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania
Um seine Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Beschaffung mit SiC-Roh- und -Epitaxiewafer zu erweitern, wird STMicroelectronics auf Sizilien eine Fertigungsstätte errichten, die solche Wafer in großen Mengen herstellt und alle Prozessschritte unter einem Dach vereint.
Catania auf Sizilien ist das Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter von STMicroelectronics. Dort sind Forschung, Entwicklung und Fertigung von Siliziumkarbid in Zusammenarbeit mit Forschungseinrichtungen, Universitäten und Zulieferern zusammengefasst. Nun wird STMicroelectronics dort eine integrierte Produktionsstätte für SiC-Substrate und -Epitaxiewafer errichten.
Dieses Projekt ist laut ST ein wichtiger Schritt, um die Strategie der vertikalen Integration des SiC-Geschäfts voranzutreiben. Die über fünf Jahre laufende Investition in Höhe von 730 Millionen Euro wird vom italienischen Staat im Rahmen des Nationalen Konjunktur- und Stabilitätsplans finanziell unterstützt und wird im Vollbetrieb rund 700 zusätzliche Arbeitsplätze schaffen. Die Produktion soll im Jahr 2023 anlaufen und bis 2024 den Anteil der internen Substratbeschaffung auf 40 Prozent erhöhen. In naher Zukunft will ST auch 200-mm-Wafer entwickeln.
»ST transformiert seine globalen Produktionsabläufe mit zusätzlichen Kapazitäten in der 300-mm-Fertigung und einem starken Fokus auf Wide-Bandgap-Halbleiter, um sein Umsatzziel von über 20 Milliarden US-Dollar zu erreichen«, unterstrich Jean-Marc Chery, President und CEO von STMicroelectronics, und ergänzte: »Diese neue Fertigungsstätte wird der Schlüssel zu unserer vertikalen Integration im Bereich SiC sein und unser Angebot an Substraten stärken.«
Die STPower-SiC-Produkte werden derzeit in seinen Produktionsstätten in Catania und Ang Mo Kio (Singapur) gefertigt. Die Montage und der Test erfolgen an Back-End-Standorten in Shenzhen (China) und Bouskoura (Marokko).
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