Siliziumkarbid
onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache
Erst vor ein paar Wochen hatte onsemi seine Produktion von SiC-Boules in Hudson, New Hampshire, verfünffacht. Nun wird das Unternehmen im tschechischen Roznov seine Fertigung von SiC-Epitaxiewafern und -Chips um das 16-Fache erweitert.
Im Jahr 2019 hatte onsemi eine Fertigung von SiC-Epitaxiewafern und -Chips im tschechischen Roznov hinzugefügt. Nachdem der ursprüngliche Standort zu klein geworden war, wurde im vergangenen Jahr ein neues Gebäude errichtet, um die Wafer- und Epitaxie-Produktion von SiC weiter auszubauen. Dieses wurde nun feierlich eröffnet.
In den nächsten zwei Jahren soll sich nach Unternehmensangaben die Kapazität der SiC-Produktion am Standort um das 16-Fache erhöhen, und bis Ende 2024 sollen 200 Arbeitsplätze geschaffen werden. Bisher hat onsemi mehr als 150 Millionen Dollar in den Standort Roznov investiert und plant, bis 2023 weitere 300 Millionen Dollar bereitzustellen. Für diese Investitionen in der Tschechischen Republik wurde onsemi kürzlich mit dem Preis der Association for Foreign Investments (AFI) ausgezeichnet.
»In Kombination mit der Erweiterung unserer SiC-Boule-Produktion in Hudson, New Hampshire, können wir unseren Kunden die notwendige Liefersicherheit bieten, um die schnell wachsende Nachfrage nach SiC-basierten Lösungen zu befriedigen«, so Simon Keeton, Executive Vice President und General Manager Power Solutions Group bei onsemi. »Die gesamte Lieferkette unserer SiC-Fertigung zu kontrollieren und die marktführende Effizienz unserer Produkte unterstreichen den Fortschritt von onsemi auf dem Weg zur SiC-Führerschaft.«
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