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Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

15. März 2022, 9:16 Uhr | Ralf Higgelke

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und Kista wird II-VI in den nächsten zehn Jahren eine Milliarde US-Dollar investieren. Bis 2027 soll der Standort Easton pro Jahr das Äquivalent von einer Million 150-mm-Wafern herstellen können.

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II-VI Incorporated hat bekanntgegeben, seine Investitionen in die Herstellung von 150-mm- und 200-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Substraten und Epitaxie-Wafern durch groß angelegte Werkserweiterungen in Easton, Pennsylvania, und Kista, Schweden, zu verstärken. Dies ist Teil der bereits angekündigten Investitionen des Unternehmens in Höhe von 1 Milliarde US-Dollar im Bereich Siliziumkarbid in den nächsten zehn Jahren.

Um die steigende weltweite Nachfrage nach SiC-basierter Leistungselektronik zu bedienen, will II-VI sein fast 300.000 Quadratmeter großes Werk in Easton erheblich ausbauen, um die Produktion seiner SiC-Substrate und -Epitaxiewafer mit den Durchmessern 150 mm und 200 mm zu erhöhen. Die Produktion in Easton soll bis 2027 das Äquivalent von einer Million 150-mm-Substraten pro Jahr erreichen, wobei der Anteil der 200-mm-Substrate im Laufe der Zeit zunehmen dürfte. Das Werk wird nach Unternehmensangaben durch ein unterbrechungsfreies und skalierbares Mikronetz auf der Grundlage der Brennstoffzellentechnik versorgt, um die Versorgungssicherheit zu gewährleisten. Die Erweiterung der Epitaxiewafer-Kapazität in Kista zielt darauf ab, den europäischen Markt zu bedienen.

»Unsere Kunden forcieren ihre Pläne, um die erwartete Nachfragewelle nach SiC-basierter Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen zu meistern. Wir gehen davon aus, dass diese Welle direkt nach dem aktuellen Entwicklungszyklus auch in der Industrie, bei erneuerbaren Energien, in Rechenzentren und anderen Bereichen Einzug halten dürfte«, kommentierte Sohail Khan, Executive Vice President, New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies. »Das Werk in Easton wird die Produktion von SiC-Substraten von II-VI in den nächsten fünf Jahren mindestens versechsfachen und wird außerdem das Hauptfertigungszentrum von II-VI für 200-mm-SiC-Epitaxiewafer werden, eines der größten weltweit.«

II-VI wird seine in Kista entwickelte Technologie für Epitaxie-Wafer zum Einsatz bringen. Diese zeichnet sich dadurch aus, dass mit ihr dicke Schichten in einem oder mehreren Aufwuchsschritten hergestellt werden können. Damit eignet sie sich ideal für Leistungsbauelemente in Anwendungen über 1 kV.