Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

9. August 2021, 14:00 Uhr | Ralf Higgelke
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Fortsetzung des Artikels von Teil 3

Standardisierung bei Siliziumkarbid

Sie sind auch bei der Standardisierung von Wide Bandgap sehr aktiv. Sie sind Ko-Vovorsitzender des JEDEC Comittee JC-70. Welche Themen sind bei der Standardisierung gerade am drängendsten?

Dort geht es vor allem um die Themen, bei denen die Nutzer das Gefühl haben, Neuland zu betreten. Darunter fällt bei Siliziumkarbid vor allem das schnelle Schalten bei hohen Spannungen – was man in dieser Ausprägung aus der Siliziumwelt nicht kennt. Eine Frage, die sich dabei stellt: Gibt es in diesem Zusammenhang neue Degradationsprozesse, die man beachten muss? Auch das vorhin schon angesprochene große Thema Gate-Oxid wird in diesem Rahmen auch weiterhin sehr intensiv diskutiert. Verständlicherweise wünschen sich die Kunden, dass in diesem Bereich vor allem im Hinblick auf Qualifizierung mehr getan wird.

Was waren so ein oder zwei persönliche Highlights aus Ihrer beruflichen Karriere im Zusammenhang mit Siliziumkarbid?

In den fast 30 Jahren, in denen ich mich aktiv mit Siliziumkarbid beschäftige, kommt schon einiges zusammen. Allein, dass ich schon so lange dabei bin, zeigt, wie sehr mich dieses Thema motiviert. Ich möchte mich hier aber auf zwei Highlights beschränken.

Ein Highlight war für mich sicherlich, dass wir für unseren JEFT-Schalter 2013 für den deutschen Zukunftspreis nominiert waren. Auch wenn es nicht zum ersten Platz gereicht hat, das ganze Entwicklungsteam stand damit auf einmal im Fokus. Das, was wir über die Jahre geleistet hatten, wurde auf einmal öffentlich honoriert. Die festliche Galaveranstaltung war natürlich eine herausragende Feier, hier konnte ich viele interessante Leute kennenlernen.

Das andere Highlight betrifft die nicht genehmigte Übernahme von Wolfspeed. Mich hat hier persönlich sehr beeindruckt, was wir in der Folge auf die Beine gestellt haben. Denn natürlich hatten wir fest damit gerechnet, dass diese Akquisition genehmigt wird, unsere strategischen Planungen war dahingehend ausgerichtet. Nachdem die US-amerikanische CFIUS die Übernahme verboten hatte, mussten wir innerhalb kürzester Zeit komplett neu planen. Dazu wurde das unternehmensinterne Programm „Silicon Carbide Accelerate“ ins Leben gerufen. Dank der tatkräftigen Unterstützung des Managements über die verschiedenen Geschäftsbereiche hinweg und mit vielen neuen Teammitgliedern konnten wir das Ruder des Tankers Infineon herumreißen und uns in dieser Hinsicht neu ausrichten. Tatsächlich konnten wir alle kompensierenden Maßnahmen im eigenen Haus umsetzen.


  1. 20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon
  2. Vom SiC-JFET zum SiC-MOSFET
  3. Cold-Split-Verfahren Ende 2022 marktreif
  4. Standardisierung bei Siliziumkarbid

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