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Übernahme im Bereich Siliziumkarbid

Qorvo übernimmt UnitedSiC

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© UnitedSiC, Qorvo

Um Zugang zu den schnell wachsenden Märkten für Elektrofahrzeuge, Energietechnik, Stromkreisschutz, erneuerbare Energien und die Stromversorgung von Rechenzentren zu erhalten, hat der HF-Spezialist Qorvo den SiC-Spezialisten United Silicon Carbide (UnitedSiC) übernommen.

»Die Übernahme von UnitedSiC erweitert unsere Marktchancen im Bereich der Hochleistungsanwendungen erheblich«, erklärte Philip Chesley, President des Geschäftsbereichs IDP (Infrastructure & Defense Products) von Qorvo. »Durch diese Übernahme kann Qorvo hochwertige, erstklassige intelligente Stromversorgungslösungen für Anwendungen in den Bereichen Spannungswandlung, Antriebssteuerung und Stromkreisschutz anbieten.«

UnitedSiC wird Teil des Geschäftsbereichs Infrastructure & Defense Products (IDP) von Qorvo und wird von Dr. Chris Dries geleitet werden, der zuvor President und CEO von UnitedSiC war und nun General Manager des Bereichs Power Device Solutions von Qorvo ist.

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Letzte Woche hat der HF-Halbleiterhersteller Qorvo den Leistungshalbleiter-Spezialisten UnitedSiC übernommen. Über die Hintergründe der Übernahme und was sich beide Parteien davon versprechen, sprachen wir mit Dr. Chris Dries, dem CEO von United SiC, und David Briggs, Senior Director, Programmable Power Management bei Qorvo.

»Unser Team ist begeistert, unser SiC-Portfolio als Teil von Qorvo zu erweitern und das Geschäft schnell und massiv auszubauen, um die Verbreitung von SiC-Bauelementen mit der höchsten Performance der Branche zu beschleunigen«, erklärte Chris Dries. »Unsere SiC-Technologie, zusammen mit den komplementären Programmable-Power-Management-Produkten von Qorvo und deren erstklassigen Supply-Chain-Fähigkeiten, ermöglicht es uns, eine herausragende Energieeffizienz in anspruchsvollen Anwendungen zu bieten.«

Das Produktportfolio von UnitedSiC umfasst derzeit mehr als 80 FETs, JFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid. Die kürzlich angekündigten SiC-FETs der vierten Generation basieren auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration und sind für 750 V bei einem RDS(on) von 5,9 mΩ spezifiziert. Damit sollen sich bisher unerreichte Wirkungsgrade und Leistungsdaten für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, DC-DC-Wandler und Traktionsantriebe sowie für Stromversorgungen von Telekommunikationsanlagen und Servern, drehzahlvariable Motorantriebe und Fotovoltaik-Wechselrichter erzielen lassen.


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United Sic, United Silicom Carbide, Inc.