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Liefervertrag für Siliziumkarbid

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies

09. November 2020, 08:40 Uhr   |  Ralf Higgelke

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies
© Infineon

SiC-Boules sind das Rohmaterial für die Herstellung von SiC-Wafern.

Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules (Siliziumkarbid-Rohkristalle) haben Infineon Technologies und GT Advanced Technologies (GTAT) geschlossen. Damit sichert sich Infineon einen weiteren Zugang zum Grundmaterial, um die steigende Nachfrage in diesem Bereich abzudecken.

Wie bereits ON Semiconductor im Juni 2020 hat nun auch Infineon Technologies einen fünfjährigen Liefervertrag mit GT Advanced Technologies (GTAT) abgeschlossen. Doch anders als ON Semi wird GTAT das deutsche Halbleiterunternehmen nicht mit SiC-Rohwafern beliefern, sondern mit der Vorstufe: den SiC-Boules, also den Rohkristallen, bevor diese zu Wafern zersägt werden. Damit bekommt Infineon direkten Zugriff auf das Rohmaterial, um mit dem ColdSplit-Verfahren dünnere SiC-Wafer aus dem Rohmaterial zu gewinnen, was mit dem klassischen Zersägen kaum möglich ist.

»Wir beobachten eine stetig steigende Nachfrage nach SiC-basierten Schaltern, insbesondere für industrielle Anwendungen«, sagte Dr. Peter Wawer, President der Industrial Power Control Division (IPC) von Infineon. »Es zeigt sich darüber hinaus, dass der Automobilsektor rasch nachzieht. Der jetzt geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass wir die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen können. Die hochwertigen Boules von GTAT sind eine zusätzliche Quelle für wettbewerbsfähige SiC-Wafer, die jetzt und in Zukunft die höchsten Materialstandards erfüllen werden. Das unterstützt unsere ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die wir unsere Technologieexpertise und Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzen«.

»Wir freuen uns sehr über den Abschluss eines langfristigen Liefervertrags mit Infineon«, sagte Greg Knight, Präsident und CEO von GT Advanced Technologies. »GTAT ermöglicht Infineon, die proprietäre Dünnwafer-Technologie bei den Boules von GTAT anzuwenden. Damit wird eine sichere und qualitativ hochwertige Versorgung mit eigenen SiC-Wafern erreicht. Die weitere Verbreitung von SiC-Bauelementen hängt maßgeblich von der aggressiven Kostenreduzierung des Substrats ab. Die Vereinbarung ist hierfür ein wichtiger Schritt.«

Siliziumkarbid wird heute schon in verschiedensten Applikationen eingesetzt, vor allem bei Fotovoltaikumrichtern, in Industrie-Stromversorgungen sowie der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge. Hier kommen die Vorteile von SiC auf Systemebene gegenüber klassischen Silizium-Lösungen sehr deutlich zum Tragen. Weitere industrielle Applikationen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und drehzahlgeregelte Antriebe nutzen immer stärker die neue Halbleitertechnologie. Ein enormes Potenzial für dessen Einsatz weisen auch Elektrofahrzeuge auf. Mögliche Anwendungsbereiche sind etwa der Hauptumrichter für den Antriebsstrang und die Onboard-Batterieladeeinheit.

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