Schwerpunkte

Interview mit Andreas Urschitz, Infineon

»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«

11. Februar 2020, 09:00 Uhr   |  Engelbert Hopf

»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«
© Markt & Technik

Andreas Urschitz, Infineon Technologies: »Durch die Kombination der Controller- und Software-Kenntnis von Cypress mit unserem Leistungshalbleiter- und Treiber-Know-how ergibt sich für unseren Power-System-Ansatz eine Vielzahl vielversprechender neuer Möglichkeiten am Markt.«

Um Infineons Marktführerschaft im Bereich Leistungselektronik auszubauen, setzt Andreas Urschitz, Division President Power Management & Multimarket, vor allem auf den Power-Systems-Ansatz. Die geplante Übernahme von Cypress Semiconductor spielt ihm dabei in die Karten.

Markt&Technik: Herr Urschitz, die Jahre 2017/18 waren in bestimmten Teilbereichen wie MOSFETs und IGBTs von Allokation gekennzeichnet. Haben sich diese Probleme aus Ihrer Sicht im letzten Jahr vollständig aufgelöst?

Andreas Urschitz: Die Angebotsverknappung hat sich im Vorjahr wieder ein Stück weit beruhigt. Die Lagerbestände haben sich normalisiert. Bezogen auf die Gesamtliefersituation sind wir mit den aktuellen Lieferzeiten zufrieden.

Zur Zeit des größten Allokationsdrucks 2017/18 gab Infineon Milliardeninvestitionen in Villach und Dresden bekannt. Als sich die Situation beruhigte, wurden die angekündigten Investitionen zurückgefahren. Wie sieht die Situation heute aus?

Richtig, von der grundlegenden Entscheidung, in den Ausbau unserer Produktionskapazitäten und der 300-mm-Aktivitäten für Leistungshalbleiter in Villach zu investieren, sind wir nicht abgerückt. Wir haben die zeitliche Planung lediglich an die Marktentwicklung angepasst und gehen derzeit von einem Produktionsstart in Villach gegen Ende des Kalenderjahres 2021 aus.

Nach Angaben des Marktforschungsinstituts Informa Tech war Infineon vor der Allokation mit 26,4 Prozent Marktführer im MOSFET-Bereich. Konnten Sie diese Position auch in Zeiten der Allokation weiter ausbauen?

Es ist uns gelungen, unseren Marktanteil im MOSFET-Bereich noch einmal zu erhöhen. Nach den letzten verfügbaren Zahlen von Informa Tech liegt er nun bei 27,7 Prozent. Das ist uns auch durch gut gemanagte Ramp-ups und den zielgerichteten Einsatz von Fertigungspartnern gelungen. Wie in den letzten beiden Jahrzehnten konnten wir so auch unter Allokationsbedingungen noch einmal weiter zulegen.

In den letzten Monaten hat Cree/Wolfspeed eine ganze Reihe von Liefervereinbarungen im SiC-Bereich bekannt gegeben. Auch Sie beziehen SiC-Wafer von Cree/Wolfspeed. Können Sie etwas zur Laufzeit und dem Volumen dieser Liefervereinbarungen sagen?

Wir legen grundsätzlich keine Details unserer Lieferantenverträge offen. Was ich jedoch sagen kann, ist, dass wir mit Cree/Wolfspeed eine langjährige und zuverlässige Lieferbeziehung pflegen. Durch die Übernahme des Dresdner Startups Siltectra im November 2018 sind wir zudem perspektivisch in der Lage, die gelieferten SiC-Wafer zu splitten. Auf diese Weise werden wir die Anzahl der Chips, die wir aus einem SiC-Wafer gewinnen, fast verdoppeln können. Aktuell arbeiten wir intensiv daran, dieses Verfahren zur Serienreife zu bringen.

Sowohl Cree/Wolfspeed als auch Rohm Semiconductor haben bekannt gegeben, dass sie SiC-MOSFETs ab 2022/23 auf 8-Zoll-Wafern fertigen werden. Hat Infineon ähnliche Pläne?

Hier geht es in erster Linie um die Schaffung von Versorgungssicherheit. Die spannende Frage, und das gilt sowohl für SiC als auch für GaN, wird sein, wie schnell sich eine Produktion beider Wide-Bandgap-Materialien auf 8-Zoll-Wafern industrialisieren lässt. Ich möchte darauf hinweisen, dass die Marktführer im SiC-Bereich erst vor Kurzem die Migration von 4 auf 6 Zoll abgeschlossen haben. Gleichwohl werden wir in Villach durch den Transfer auf 300 mm frei werdende 8-Zoll-Fertigungskapazitäten sicher auch zur Fertigung von Produkten auf SiC- und GaN-Basis nutzen.

Planar oder Trench? Im Bereich SiC-MOSFETs fast eine Glaubensfrage. Wie bewerten Sie die Aussage, dass SiC-MOSFETs, die wirklich die Vorteile der Trench-Technologie umsetzen und ausnutzen können, erst Mitte des neuen Jahrzehnts auf den Markt kommen werden?

Aus unserer Sicht ist die Trench-Technologie für die neuen Halbleitermaterialien State of the Art. Die Trench-Technologie erlaubt es uns, die Chips kleiner zu machen und die Leistungsdichte zu erhöhen. Aus diesem Grund setzen wir auch in Zukunft ganz klar auf Trench!

Seite 1 von 2

1. »Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«
2. Vorteil durch die Übernahme von Cypress

Auf Facebook teilenAuf Twitter teilenAuf Linkedin teilenVia Mail teilen

Das könnte Sie auch interessieren

Siltronic vorsichtig für 2020
Power Modules of the Future
Im Zeichen von SiC und GaN

Verwandte Artikel

INFINEON Technologies AG Neubiberg, Cypress Semiconductor GmbH, Cree Europe GmbH, Wolfspeed, Panasonic Electric Works Europe AG