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Ziel: Schnellere Entwicklung

STMicroelectronics und TSMC kooperieren bei GaN

24. Februar 2020, 13:56 Uhr   |  Engelbert Hopf

STMicroelectronics und TSMC kooperieren bei GaN
© Mongkolchon/stock.adobe.com

Kooperation soll Entwicklung und Markteinführung von GaN-Leistungshalbleitern und -ICs beschleunigen.

STMicroelectronics und TSMC arbeiten künftig gemeinsam an der Entwicklung der Gallium-Nitrid-Prozesstechnologie, um die Markteinführung von diskreten und integrierten GaN-Bauelementen zu beschleunigen.

Marco Monti, President der STMicroelectronics Automotive and Discrete Group sieht in der Zusammenarbeit mit TSMC, »eine große Chance, die Einführung der GaN-Prozesstechnologie zu beschleunigen und Leistungs-GaN-Bauelemente und GaN-ICs auf den Markt zu bringen«. TSMC sei ein vertrauenswürdiger Foundry-Partner, der die anspruchsvollen Anforderungen der Zielkunden von ST an die Zuverlässigkeit und die Entwicklung der Roadmap erfüllen kann«. Wie er betont, ergänzt die neue Partnerschaft die schon bestehenden ST-Aktivitäten für Leistungs-GaN in Frankreich am Standdort in Tours und mit dem CEA-Leti.

»Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit ST und darauf, die Anwendungen der GaN-Leistungselektronik in die industrielle und automobile Energieumwandlung einzubringen«, versichert Dr. Zhang, Vice President of Business Development at TSMC, »unser führendes Know-how in der GaN-Fertigung, kombiniert mit den Fähigkeiten STMicroelectronics im Bereich Produktdesign und Qualifizierung für die Automobilindustrie, wird eine große Verbesserung der Energieeffizienz für industrielle und automobile Leistungsumwandlungsanwendungen liefern«.

GaN zählt wie SiC zu den Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke. In Leistungsanwendungen bietet GaN eine größere Energieeffizienz bei höherer Leistung. Dies führt zu einer erheblichen Reduzierung der Leistungsverluste und einer möglichen Verkleinerung von Geräten. Darüber hinaus schalten GaN-basierte Bauelemente bis zu zehnmal schneller als siliziumbasierte Bauelemente und können auch bei höheren Maximaltemperaturen arbeiten.

Durch diese robusten und intrinsischen Materialeigenschaften eignet sich GaN speziell für den Einsatz in fortschrittlichen Automobil-, Industrie- und Telekommunikations- sowie in spezifischen Consumeranwendungen, sowohl in den 100- als auch in den 650-V-Clustern. Auf dieser Technologie basierende Power-GaN- und GaN-IC-Technologien werden ST in die Lage versetzen, Lösungen für Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung mit einem besseren Wirkungsgrad im Vergleich zu Siliziumtechnologien auf denselben Topologien anzubieten. Das schließt Automobilkonverter und Ladegeräte mit Hybrid- und Elektrofahrzeuge ein. Erste Muster diskreter Leistungs-GaN-Bauelemente will ST noch in diesem Jahr an Schlüsselkunden liefern. GaN-IC-Produkte sollen einige Monate später folgen.

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