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Galliumnitrid / Übernahme

STMicroelectronics erwirbt Mehrheitsbeteiligung an Exagan

5. März 2020, 11:00 Uhr | Ralf Higgelke

Jean-Marc Chéry, CEO von STMicroelectronics

Nachdem STMicroelectronics bereits mit CEA-Leti und TSMC bei Galliumnitrid zusammenarbeitet, hat das Unternehmen nun angekündigt, eine Mehrheitsbeteiligung am GaN-Innovator Exagan zu erwerben. In zwei Jahren könnte ST das französische Start-up komplett übernehmen.

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STMicroelectronics hat eine Vereinbarung unterzeichnet, wonach es eine Mehrheitsbeteiligung an dem französischen Galliumnitrid-Innovator Exagan erwirbt. Exagans Fachwissen in den Bereichen Epitaxie, Produktentwicklung und Anwendungsexpertise soll die Roadmap und das Geschäft von ST mit Power-GaN für Automobil-, Industrie- und Consumer-Anwendungen erweitern und beschleunigen. Exagan wird seine Produkt-Roadmap weiter umsetzen und von ST bei der Einführung seiner Produkte unterstützt werden.

Die Einzelheiten der Transaktion wurden nicht offengelegt, der Abschluss unterliegt den üblichen regulatorischen Genehmigungen der französischen Behörden. Die unterzeichnete Vereinbarung sieht auch die Übernahme der verbleibenden Minderheitsbeteiligung an Exagan 24 Monate nach Abschluss der Übernahme der Mehrheitsbeteiligung vor. Die Transaktion wird mit verfügbaren Barmitteln finanziert.

»ST wächst gerade stark bei Siliziumkarbid verzeichnet. Und jetzt expandieren wir bei einem anderen sehr vielversprechenden Verbindungshalbleiter, dem Galliumnitrid, um die Akzeptanz von GaN-basierten Power-Produkten bei den Kunden in den Automobil-, Industrie- und Consumer-Märkten zu fördern«, erklärte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. »Die Übernahme einer Mehrheitsbeteiligung an Exagan ist ein weiterer Schritt, um unsere globale Technologieführerschaft bei Leistungshalbleitern und unsere langfristige GaN-Roadmap, unser Ecosystem und unser Unternehmen zu stärken. Sie ergänzt die laufenden Engagements bei CEA-Leti und die kürzlich angekündigte Zusammenarbeit mit TSMC.«

Exagan wurde 2014 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Grenoble (Frankreich). Das Unternehmen konzentriert sich darauf, den Übergang der Leistungselektronik von siliziumbasierter Technologie zur GaN-auf-Silizium-Technologie zu beschleunigen. Dadurch sollen kleinere und effizientere Stromwandler entwickelt werden. Seine GaN-Leistungsschalter sind für die Herstellung in herkömmlichen Fabs mit 200-mm-Wafern ausgelegt.