Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz

24. Januar 2022, 13:00 Uhr | Ralf Higgelke
Andreas Urschitz, Infineon
Andreas Urschitz, Division President PSS bei Infineon Technologies
© WEKA Fachmedien

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und Galliumnitrid-Transistoren verantwortlich. Hier können Sie seine Eröffnungs-Keynote auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2021 sehen.

Der Klimawandel ist eine der größten Herausforderungen unseres Jahrhunderts. Trotzdem wird unser Bedarf an Energie weiterhin steigen. Um den Kampf gegen die globale Erwärmung nicht zu verlieren, ist es daher nötig, elektrische Energie effizienter zu generieren, zu übertragen und zu gebrauchen.

Leistungshalbleiter aus Silizium stoßen dabei aber immer öfter an ihre physikalischen Grenzen. Neue Technologien – allen voran die Wide-Bandgap-Halbleiter – könnten in dieser Hinsicht neue Wege eröffnen. Wie diese am Beispiel von Galliumnitrid aussehen könnten, legte Andreas Urschitz in seiner Keynote dar.

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und Galliumnitrid-Transistoren verantwortlich. Hier können Sie seine Eröffnungs-Keynote auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2021 sehen.

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