Versorgungssicherheit für SiC-Wafer
Ausbau der Zusammenarbeit
Für mehr als 120 Millionen Dollar wird die Rohm-Tochter SiCrystal in den nächsten Jahren 150-mm-SiC-Wafer an STMicroelectronics liefern und ST so helfen, die hohe Nachfrage nach SiC-Bauteilen aus der Automobil- und Industrieelektronik zu bedienen.
Dieses weitere langfristige Lieferabkommen für SiC-Substrate ergänzt die bereits gesicherten externen und internen Kapazitäten, die wir aufbauen«, versichert Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroeelectronics. »ST kann somit das Volumen und die Auslastung der Wafer erhöhen, die benötigt werden, um in den nächsten Jahren die hohe Nachfrage von Kunden für Automobil- und Industrieprogramme zu befriedigen.«
»Wir freuen uns sehr über dieses Lieferabkommen mit unserem langjährigen Kunden ST«, bestätigt denn auch Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO der zur Rohm-Gruppe gehörenden SiCrystal. »Wir werden unseren Partner beim Ausbau des Siliziumkarbid-Geschäfts weiterhin unterstützen, indem wir die Wafer-Mengen kontinuierlich steigern und jederzeit zuverlässige Qualität liefern.«
Rohm Semiconductor hatte das in Nürnberg beheimatete Unternehmen SiCrystal, einen der weltweit führenden Hersteller monokristalliner SiC-Wafer, im April 2010 übernommen. SiC-Leistungshalbleiter auf Basis der Halbleitersubstrate von SiCrystal bilden die Grundlage für die sehr effiziente Nutzung elektrischer Energie in Elektrofahrzeugen, Schnellladestationen, für erneuerbare Energien sowie in verschiedenen Bereichen industrieller Anwendungen. Zuletzt hatte sich der Einsatz von Stromversorgungen mit SiC-Bauelementen beschleunigt, die sich sowohl im Automobil- als auch im Industriebereich einsetzen lassen.
Neben Cree/Wolfspeed zählt Rohm mit seiner Tochter SiCrystal zu den führenden Lieferanten von SiC-Wafern und als Rohm Semiconductor von SiC-Leistungshalbleitern. Christian André, Chairman Rohm Semiconductor Europe, hatte im Interview mit dieser Zeitung erst vor Kurzem erläutert, wie Rohm seine Stellung am SiC-Markt in Zukunft weiter ausbauen will.
So hatte Rohm Semiconductor vor rund eineinhalb Jahren angekündigt, bis 2025 insgesamt 80 Milliarden Yen zu investieren. Davon sollen 60 Milliarden Yen in den Ausbau der SiC-Produktion fließen. Mit dem Invest soll die Produktionskapazität gegenüber 2017 um den Faktor 16 gesteigert werden. Rohm strebt damit einen Marktanteil im SiC-Bereich von 30 Prozent an.
Investiert wird das Geld unter anderem in Nürnberg, wo die Produktionsstätte von SiCrystal bisher über 30.000 m2 umfasst. Darüber hinaus fließen Investitionen in das Werk in Miyazaki in Japan und in das neue, ebenfalls in Japan entstehende Apollo-Werk, das bis Ende 2020 fertiggestellt werden soll.
Gegenüber dem Wettbewerb sieht sich André in einer guten Position. So beträgt der Rohm-Umsatz mit Halbleiterprodukten im Automobilbereich 37 Prozent. Die jahrelange erfolgreiche Zusammenarbeit werde nun im Bereich E-Mobility, in dem SiC eine Schlüsselrolle spielt, fortgesetzt. André sieht es dabei als Vorteil an, dass die Herstellung des Substrats in Europa stattfindet und Rohm damit in der Lage ist, den gesamten Herstellungsprozess aus einer Hand anzubieten.
Das könnte Sie auch interessieren
Anwenderforum Leistungshalbleiter 2019
Im Zeichen von SiC und GaN
Interview mit Andreas Urschitz, Infineon
»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«
