Anwenderforum Leistungshalbleiter 2019
Im Zeichen von SiC und GaN
Mit der immer mehr in den politischen Fokus rückenden Klimaerwärmung könnten schon in Kürze Maßnahmen getriggert werden, die den Bedarf an Leistungselektronik kräftig steigen lassen.
Wie sich dabei ein Optimum an Effizienz und Kostenreduzierung erreichen lässt, verraten Branchenexperten auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter.
In der Vergangenheit hatte Balu Balakrishnan, CEO von Power Integrations, eine klare Maxime: »Wir nutzen jede Technologie, die uns hilft, den Nutzen unserer Produkte für den Anwender zu verbessern. Bisher wurde nie gefragt, wie wir diese Performance eigentlich erreichen – bei GaN war das jetzt zum ersten Mal anders.«
Ein Teardown von Analysten der Yole Développement Group förderte zutage, dass PI in seinen jüngsten Offline-CV-Flyback-Schalter-ICs der InnoSwitch3-Familie GaN-FETs integriert hatte. »Technologie ist für uns immer nur ein Mittel, kein Selbstzweck«, versicherte Balakrishnan in seiner Keynote „The Power of Integration“, mit der er Ende November letzten Jahres in München das 3. Leistungshalbleiter-Anwenderforum der Markt&Technik und der Design&Elektronik eröffnete.
Insgesamt lauschten an den beiden Veranstaltungstagen im Hyperion-Hotel in München rund 180 Teilnehmer, Referenten und Aussteller den 21 Vorträgen, die Referenten von 18 Unternehmen und Forschungsinstituten hielten. In ihrer Themenvielfalt deckten sie das gesamte Feld der modernen Leistungselektronik und Leistungshalbleitertechnik ab. Einer der thematischen Schwerpunkte lag auf Leistungshalbleitern für die Elektromobilität, bezogen sowohl auf Elektrofahrzeuge als auch auf die entsprechenden Ladegeräte.
Zu den Highlights der Veranstaltung zählten die insgesamt vier Keynotes. Neben Balakrishnan hielten diese Christian André, Chairman von Rohm Semiconductor Europe, Bruce T. Renouard, CEO von Pre-Switch und Peter Sontheimer, Chief Sales Officer bei Semikron. Angesichts der Bedeutung, die SiC-Leistungshalbleiter für die Umsetzung der diversen E-Mobility-Visionen spielen, beleuchtete André in seiner Keynote die besonderen Herausforderungen dieses Materials: »SiC is a wild animal.« SiC, so sein Fazit, sei eine mächtige Technologie, dass sie erst wirklich beherrscht werden müsse, bevor man den vollen Nutzen aus ihren Möglichkeiten ziehen könne. Um in Zukunft auch quantitativ den Anwendern die Möglichkeit zu geben, bei Bedarf wirklich auf SiC zuzugreifen, investiert Rohm Semiconductor, wie er erläuterte, bis 2025 rund 500 Millionen Euro, um den Output an SiC-Substrat und -bauelementen um das 16-Fache zu steigern.
„SiC Performance at the Price of Silicon“, mit diesem Titel war Bruce T. Renouard, dem CEO des amerikanischen Startups Pre-Switch, natürlich die Aufmerksamkeit der Zuhörer sicher. Warum Geld für teure SiC-Bauelemente ausgeben, wenn es vielleicht auch anders geht? Renouard stellte die Vorzüge der von Pre-Switch entwickelten Treibertechnik vor, die aus klassischen Silizium-IGBTs eine Performance herausholt, die an SiC-Leistungshalbleiter heranreicht. Wenig verwunderlich, dass inzwischen Firmen aus dem Automotive-Bereich zu den Pre-Switch-Kunden gehören.
Peter Sontheimer, Chief Sales Officer bei Semikron, nutzte seine Keynote dazu, den Zuhörern die besonderen Herausforderungen der E-Mobility nahe zu bringen und aufzuzeigen, welche Hilfestellung Leistungshalbleiter-Spezialisten wie Semikron bei der Umsetzung der ehrgeizigen Ziele nicht nur deutscher und europäischer Automobilhersteller beim Thema Elektroauto leisten können. Eine entscheidende Rolle spielt dabei im Fall Semikron die doppelseitige Sintertechnik, mit der das Unternehmen entsprechende Modullösungen für die Automobilbranche realisieren wird. Noch ist Vorarbeit zu leisten, wie Sontheimer betont; »wirklich massiv zum Umsatz beitragen wird das Automotive-Segment bei Semikron dann beginnend mit dem Jahr 2025«.
Integraler Bestandteil der Anwenderforen der Markt&Technik und der Design&Elektronik sind 45-minütige Intensivseminare, in denen die Referenten einen tiefen Einblick in bestimmte Sachverhalte geben. So ging Tobias Fuhr von Finepower im letzten Jahr in seinem Vortrag auf die „Aktuellen und zukünftigen Ladegeräte-Topologien für Industrie und Elektromobilität“ ein. Dr. Christian Römelsberger setzte sich in seinem Intensivseminar am zweiten Veranstaltungstag mit der „Bestimmung und Auswirkung parasitärer Effekte von Wechselrichter-Aufbauten“ auseinander.
Das in enger Zusammenarbeit mit der Industrie realisierte Veranstaltungskonzept – so nutzten elf Aussteller die Möglichkeit, sich an beiden Veranstaltungstagen im Rahmen einer Tabletop-Ausstellung zu präsentieren – bietet den Besuchern durch die große Vielfalt an Vorträgen und Diskussionsmöglichkeiten mit Experten die Möglichkeit, sich möglichst herstellerunabhängig einen Überblick über aktuelle Entwicklungen und Trends im Leistungshalbleiterbereich zu informieren. Die Nähe zu den Experten und die gelebte Hands-on-Mentalität der Veranstaltung wurde wie in den Vorjahren von den Teilnehmern hoch geschätzt.
Schon in Kürze wird der Call for Papers für das 4. Anwenderforum Leistungshalbleiter online gehen. Nutzen Sie die Gelegenheit, über Ihre Vortragseinreichung das Anwenderforum Leistungshalbleiter aktiv mitzugestalten! Stattfinden wird der Kongress in diesem Jahr am 28./29. Oktober im Novotel Messe München. Merken Sie sich den Termin vor, um sich auf einer klar fokussierten Veranstaltung, knapp zwei Wochen vor der diesjährigen electronica, Tipps und Anregungen von Leistungshalbleiterspezialisten zum optimalen Umgang mit Dioden, MOSFETs, IGBTs sowie SiC und GaN zu holen!
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