Schwerpunkte

NAND-Markt ab 2021/23 betroffen

China steigt 2019 in Speicher-IC-Fertigung ein

20. April 2018, 06:17 Uhr   |  Heinz Arnold

China steigt 2019 in Speicher-IC-Fertigung ein
© Shutterstock

Die Analysten von DRAMeXchange rechnen damit, dass die chinesischen Speicher-IC-Hersteller ab der zweiten Hälfte 2019 ihre Produktion in Stückzahlen aufnehmen werden.

Drei chinesische Speicher-IC-Hersteller werden voraussichtlich im ersten Halbjahr 2019 die Fertigung in Stückzahlen aufnehmen: YMTC, Innotron und HICC.

Die Versuchsproduktion startet laut DRAMexChange in der zweiten Jahreshälfte 2018. Während sich die Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) auf NAND-Flash-ICs konzentriert, werde sich Innotron auf DRAMs für mobile Geräte fokussieren und Fujian Jinhua Integrated Circuit (JHICC) auf Spezial-DRAMs.

YMTC werde die eigene Produktion wohl deutlich erhöhen, sobald sie die 3D-NAND-Speicher-ICs mit 64 Schichten fertig entwickelt habe. Das könne aber erst in den kommenden drei bis fünf Jahren auf globaler Ebene spürbar werden – dann aber deutlich. Es bleibt spannend zu beobachten, bis wann es YMTC gelingt, den doch nicht zu unterschätzenden Vorsprung der führenden Hersteller Samsung, Toshiba Memory/Western Digital (SanDisk), Intel/Micron und SK Hynix aufzuholen.

Innotron und JHICC  seien bereits hinter ihren ursprünglichen Plan zurückgeraten und hätten den Start ihrer Versuchsproduktion auf das dritte Quartal 2018 verschoben. Innotron wolle mit LPDDR-DRAMs mit einer Speicherkapazität von 8 GB einsteigen. Wie das Unternehmen patentrechtliche Probleme vermeiden kann, bleibt abzuwarten. Der sicherste Weg wäre es, zunächst nur auf dem heimischen Markt zu verkaufen.

JHICC hatte im Juli 2016 angekündigt, für 5,3 Mrd. Dollar eine 12-Zoll-Fab für die Fertigung von Spezial-DRAMs in Jinjiang/Fujian bauen zu wollen. Auch dieses Unternehmen plant die erste Produktion für das dritte Quartal 2018 und den Start der Massenproduktion im ersten Halbjahr 2019.

Der Produktionsstart der chinesischen Hersteller werde laut DRAMeXchange zunächst keine Auswirkungen auf den globalen Markt  für Speicher-ICs nehmen. Es würde eher verwundern, wenn sie in der Lage wären, ihre ambitionierten Pläne ohne Verzögerungen in die Realität umzusetzen.

Allerdings sei damit zu rechnen, dass sie ab 2020/21 mit voller Kapazität produzieren könnten. Die Fertigungskapazität von JHICC und Innotron beziffert DRAMeXchange auf zusammen 250.000 Wafer pro Monat im Zeitraum 2020/21. Die Gesamtkapazität der drei Firmen schätzt DRMeXchange auf zunächst 300.000 Wafer pro Monat. Das ist der Grund, warum die Analysten davon ausgehen, dass YMTS die Produktion erst aber der Fertigung der NAND-ICs mit 64 Schichten signifikant erhöhen werde.

Auf Facebook teilenAuf Twitter teilenAuf Linkedin teilenVia Mail teilen

Das könnte Sie auch interessieren

NAND-Flash-Preise sinken
Will Intel Flash-ICs an chinesische Firma verkaufen?
DRAMs und NAND-Speicher wachsen noch mehr
DRAM-Preise weiterhin schwindelerregend
Dauert IC-Boom noch ein Jahr?
Milliarden für High-End-ICs
Chinas IC-Hersteller 2018
China bremst Speicherpreise
Die wichtigsten IC-Firmen in China

Verwandte Artikel

elektroniknet, Samsung Electron Devices, MICRON SEMICONDUCTOR (Deutschland) GmbH, INTEL GmbH, Western Digital GmbH, Hynix