Innotron Memory
2,4 Mrd. Dollar für chinesische HBM-DRAM-Fab
Die chinesische Innotron Memory, zu der Speicher-IC-Hersteller CXMT gehört, will 2,4 Mrd. Dollar in ein Advanced-Packaging-Werk in Shanghei investieren. Dort sollen High-Bandwidth-Memories (HBMs) gefertigt werden.
HBMs bestehen aus mehreren DRAMs, die mit Hilfe von Advanced-Packaging-Techniken übereinandergestapelt und in unmittelbarer Nähe zu KI-GPUs platziert werden.
Die Kapazität des neuen Advanced-Packaging-Werks von Innotron in Shanghai soll 30.000 Einheiten pro Monat erreichen. Der Start der Produktion ist für Mitte 2026 geplant.
Die HBMs benötigt Huawei für ihre KI-Chips. Woher die HBMs kommen, die Huawei derzeit einsetzt, sei unklar, schreibt die Taipei Times. Derzeit stellen Samsung, SK hynix und Micron HBMs her, die unter den US-Bann gegen Huawei fallen.
Der DRAM-Hersteller CXMT (Changxin Xinqiao Memory Technologies) war 2016 gestartet, unter anderem mit Patenten von Qimonda.
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