In der Fab von onsemi
Weebit testet erfolgreich ICs mit integrierten ReRAM
Weebit Nano hat Chips mit nichtflüchtigen integrierten ReRAM-Speichern in der 300-mm-Fab von onsemi in East Fishkill getestet und zur Fertigung freigegeben.
Die Chips werden auf der »Treo«-Plattform von onsemi entwickelt, einem 65-nm-Bipolar-CMOS-DMOS-Prozess (BCD). Dieses Tape-out ist ein wichtiger Meilenstein für die Implementierung der Weebit ReRAM-IP auf der »Treo«-Plattform von onsemi. Für »Treo«-basierte Designs kann Weebit ReRAM damit einen äußerst stromsparenden, hochdichten nichtflüchtigen Speicher bieten, der neue Funktionalitäten erschließt. Die Produkte der nächsten Generation von onsemi werden voraussichtlich diese Speichertechnologie nutzen. Die Testchips werden nun für abschließende Tests und Qualifizierungen vor der geplanten Serienproduktion verwendet.
»Unsere Zusammenarbeit mit onsemi schreitet rasch voran, und dieses erfolgreiche Tape-out ist ein wichtiger Meilenstein für den Abschluss des Technologietransfers von Weebit ReRAM auf den fortschrittlichen BCD-Prozess von onsemi«, sagt Coby Hanoch, CEO von Weebit Nano. »Wir haben unsere Technologie bereits auf mehreren Wafer-Chargen mit den Tools und Abläufen von onsemi validiert, den Prozess optimiert und eine solide Leistung und Zuverlässigkeit nachgewiesen. Wir arbeiten nun auf die Qualifizierung hin.«
Coby Hanoch, CEO von Weebit Nano: »Unsere Zusammenarbeit mit onsemi schreitet rasch voran, und dieses erfolgreiche Tape-out ist ein wichtiger Meilenstein für den Abschluss des Technologietransfers von Weebit ReRAM auf den fortschrittlichen BCD-Prozess von onsemi.«
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