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Changxin Memory Technologies

Erste DRAMs aus China noch in diesem Jahr

14. Juni 2019, 08:15 Uhr   |  Heinz Arnold

Erste DRAMs aus China noch in diesem Jahr
© Trendforce/DRAMeXchange

Die führenden DRAM-Hersteller im ersten Quartal 2019: Zunächst dürften die ersten Chips aus China wenig Einfluss auf den Markt insgesamt haben, der zu Anfang des Jahres deutlich zurückging.

Die ersten chinesischen DRAMs sollen noch in diesem Jahr auf den Markt kommen.

Changxin Memory Technologies, auch unter dem Namen Innotron bekannt,  hat die DRAMs einem Redesign unterzogen, um möglichst wenig Technik aus den USA zu verwenden und keine Patente zu verletzten.

Die Firma wollte offenbar verhindern, dass es ihr genauso ergeht wie Fujian Jin Hua Integrated Circuit Company (JHICC), die schon Ende 2018 die Produktion von DRAMs aufnehmen wollte. Micron hatte das Unternehmen aber zuvor wegen Patentverletzungen verklagt, aus Gründen der nationalen Sicherheit dürfen US-Firmen keine Produkte mehr an JHICC liefern.

Ohne die Maschinen und den Support durch führende US-Hersteller wie Applied Materials, LAM Research und KLA Tencor kann JHICC die Chips jedoch nicht produzieren. Bisher hat das Unternehmen die Fertigung nicht aufgenommen.

Auf die Design-Tools für den Entwurf der Chips und auf die Maschinen für ihre Fertigung ist Changxin Memory Technologies allerdings genauso angewiesen, will aber den USA keinen Ansatzpunkt für Klagen gegen Patentdiebstahl geben, wie Nikkei Asian Review berichtet.

Angeblich hat Changxin Memory Technologies 8 Mrd. Dollar in den Bau der DRAM-Fab in Hefei im Osten von China gesteckt und will ab Ende des Jahres zunächst 10.000 Wafer pro Monat fertigen. Weltweit werden derzeit auf rund 1,3 Mio. Wafern pro Monat DRAMs produziert.  Den DRAM Markt teilen sich zu 95 Prozent drei Firmen auf: Samsung, Micron und SK Hynix. Die Fertigung von Changxin Memory Technologies würde also zunächst kaum ins Gewicht fallen. Doch wäre ein Anfang gemacht und China wird sicherlich keine Kosten und Mühen scheuen, um eine von den USA unabhängige DRAM-Produktion auf die Beine zu stellen.

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