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Siliziumkarbid-Dioden

Nexperia startet ins SiC-Zeitalter

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© Nexperia

Nachdem Nexperia vor genau zwei Jahren sein Produktportfolio um Galliumnitrid-Transistoren erweitert hat, legt das Unternehmen nun mit seinen ersten Siliziumkarbid-Bauelementen nach. Damit verfügt es neben Infineon und onsemi über beide gängigen Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien.

Mit der Einführung der SiC-Schottky-Diode PSC1065x für 650 V/10 A hat Nexperia einen strategischen Schritt getätigt, um sein Angebot an Wide-Bandgap-Halbleitern signifikant zu erweitern. Diese SiC-Diode bietet den zusätzlichen Vorteil eines hochspannungskompatiblen Real-2-Pin-Gehäuses (R2P) mit höherer Kriechstrecke und ist wahlweise für die Oberflächen- (DPAK R2P und D2PAK R2P) oder Durchsteckmontage (TO-220-2, TO-247-2) erhältlich.

Entwicklungsmuster sind auf Anfrage bereits erhältlich, die Markteinführung des Produkts ist für das zweite Quartal 2022 geplant. Nexperia plant, sein Portfolio an SiC-Dioden kontinuierlich zu erweitern, sodass mittelfristig insgesamt 72 Produkte für Spannungen von 650 V und 1200 V und Ströme von 6 A bis 20 A zur Verfügung stehen werden. Zunächst stehen Industrie- und Konsumgüteranwendungen im Fokus, aber eine Automotive-Qualifizierung ist geplant.

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