Schwerpunkte

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

04. Februar 2019, 07:30 Uhr   |  Ralf Higgelke

Vier Koryphäen im Video-Interview
© WEKA Fachmedien

Vier Koryphäen der Leistungshalbleiter-Szene konnten wir interviewen: Dr. Gerald Deboy, Dr. Alex Lidow, Dr.-Ing. Martin Schulz und Dr. Richard Reiner (im Uhrzeigersinn von links oben)

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche mit einem Vortrag dabei. Wir konnten die Keynote-Sprecher Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow sowie Dr. Richard Reiner und Dr. Martin Schulz zu ihren Beiträgen noch interviewen.

Rund 170 Teilnehmer, Referenten und Aussteller nutzten das Anwenderforum Leistungshalbleiter, um sich eine Woche vor der electronica sehr fokussiert über aktuelle Entwicklungen und Trends in der Leistungshalbleiter-Technologie zu informieren, und sich Applikations-Tipps und -Anregungen von Experten zu holen.

Den Rahmen für die zweitägige Veranstaltung gaben die Keynotes von Dr. Gerald Deboy, Senior Principal Power Semiconductors and Systems Engineering bei Infineon Technologies, und Dr. Alex Lidow, CEO von Efficient Power Conversion, vor. Beide gehören zu den lebenden Legenden der Leistungshalbleiterbranche und schufen mit ihren Arbeiten zu Beginn ihrer Karrieren die Grundlagen für die Superjunction- bzw. Planar-Technologie und damit für Power-MOSFETs. Silizium-MOSFETs, auch das dürfte außer Zweifel stehen, bilden heute immer noch in Bezug auf Stückzahlen und Umsatzgrößen das Rückgrat der Branche.

Video: Dr. Gerald Deboy, Infineon

© DESIGN&ELEKTRONIK

Dr. Gerald Deboy, einer der Väter des CoolMOS, hielt die Eröffnungs-Keynote. Er beleuchtete das Thema: Perspektiven von GaN-Leistungshalbleitern im Licht künftiger Anforderungen an die Leistungselektronik.

Video: Dr. Alex Lidow, Efficient Power Conversion EPC

© DESIGN&ELEKTRONIK

In seiner Keynote erläuterte Alex Lidow, warum Galliumnitrid dem Moore‘schen Gesetz neues Leben einhaucht.

Zu den Highlights der Veranstaltung zählte einmal mehr der Vortrag von Dr.-Ing. Martin Schulz, Principal Application Engineering bei Infineon Technologies: Er zeigte am Beispiel eines Matrixumrichters für 25 kW, dass es gerade auch bei Wide-Bandgap-Halbleitern darum geht, Technologie und Topologie gemeinsam zu optimieren, wenn man entsprechend herausragende Ergebnisse erzielen will, die eben mit klassischer Silizium-Technik nicht realisierbar wären.

Video: Dr.-Ing. Martin Schulz, Infineon

© DESIGN&ELEKTRONIK

Dr. Martin Schulz, einer der bei Power-Modul-Gurus bei Infineon, zeigte am Beispiel eines Matrixumrichters, warum es wichtig ist, Bauteile und Topologie gemeinsam zu optimieren.

Monolithsche Integration ist eines der heißen Themen bei Galliumnitrid. Einer, der in diesem Bereich führend ist, ist Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF. Wir konnten ihn fragen, was er denn schon so alles auf einem GaN-Chip integriert hat.

Video: Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

© DESIGN&ELEKTRONIK

Dr. Richard Reiner befasst sich am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF mit dem Thema »Monolithische Integration von Galliumnitrid-Schaltungen«.

Auf Facebook teilen Auf Twitter teilen Auf Linkedin teilen Via Mail teilen

Das könnte Sie auch interessieren

Verwandte Artikel

Infineon Technologies AG, INFINEON Technologies AG Neubiberg, Infineon Technologies AG Warstein, EPC Efficient Power, Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF