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Galliumnitrid-Transistoren

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand

11. Februar 2019, 16:01 Uhr   |  Ralf Higgelke

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand
© JEDEC

Unter der Leitung von Infineon, Texas Instruments und Wolfspeed treibt der JEDEC-Ausschuss JC-70 die Standardisierung bei GaN und SiC voran.

Ein zentrales Anliegen von Anwendern von GaN-HEMTs ist der dynamische On-Widerstand. Mit dem Dokument JEP173 hat das JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee JC-70 dazu nun ein einheitliches Messverfahren veröffentlicht.

Die JEDEC Solid State Technology Association hat das Dokument JEP173 vorgestellt: Richtlinien für den Test des dynamischen Einschaltwiderstands von GaN-HEMTs, die in Leistungswandlern eingesetzt werden. Die erste Publikation, die der das JC-70 entwickelt hat, steht auf der JEDEC-Website zum kostenlosen Download bereit.

JEP173 greift ein zentrales Anliegen der Anwendergemeinde von GaN-Power-Transistoren auf, nämlich eine Methode zur konsistenten Messung des Drain- Source-Widerstands im eingeschalteten Zustand (RDS(on)), mit der dynamische Effekte erfasst werden können. Diese dynamischen Effekte sind charakteristisch für GaN-HEMTs, und der gemessene RDS(on) ist abhängig von der jeweiligen Messmethode.

»JEP173 zeigt, wie schnell die GaN-Industrie zusammengefunden hat, um dieses wichtige Thema anzugehen und damit zu beginnen, Standards für Datenblatt-, Qualifizierungs- und Testmethoden bei allen Anbietern einzuführen«, kommentierte Stephanie Watts Butler, Technology Innovation Architect bei Texas Instruments und Vorsitzende des JC-70. »Die Veröffentlichung von JEP173 wird dazu beitragen, die branchenweite Einführung von GaN zu beschleunigen, indem sie die Durchgängigkeit über die gesamte Lieferkette hinweg gewährleistet.«

JC-70 wurde im Oktober 2017 von 23 Unternehmen gegründet und umfasst heute über fünfzig Mitgliedsfirmen. Dies unterstreicht das Interesse der Industrie an der Entwicklung allgemeiner Richtlinien, um die Akzeptanz von Wide-Bandgap-Halbleitern (WBG) zu fördern. Globale multinationale Konzerne genauso wie Technologie-Start-ups aus den USA, Europa, dem Mittleren Osten und Asien arbeiten zusammen, um der Industrie eine Reihe von Standards für Zuverlässigkeit, Prüfung und Parametrierung von WBG-Leistungshalbleitern zu bieten. Zu den Ausschussmitgliedern gehören Branchenführer im Bereich der Power-GaN- und -SiC-Halbleiter, potenzielle Anwender solcher Bauelemente sowie Prüf- und Messgerätehersteller. Technische Experten von Universitäten und nationalen Labors lieferten ebenfalls Beiträge zur neuen JEP173-Richtlinie.

»Es war ein starkes Engagement der Ausschussmitglieder erforderlich, um diese Arbeit abzuschließen und universelle Standards zu schaffen, um die Einführung von Breitbandtechnologien voranzutreiben«, bemerkte Tim McDonald, Senior Advisor für das CoolGaN-Programm von Infineon und Vorsitzender des Unterausschusses JC-70.1. »Unsere Arbeitsgruppen machen fleißig Fortschritte bei anderen wichtigen GaN- und SiC-Richtlinien in den Bereichen Test, Zuverlässigkeit und Datenblätter.«

Interessierte Unternehmen aus der ganzen Welt sind herzlich eingeladen, sich der JEDEC anzuschließen, um an dieser wichtigen Standardisierungsmaßnahme teilzunehmen. JC-70 plant, im Jahr 2019 vier Ausschusssitzungen abzuhalten, darunter eine Sitzung, die im Rahmen der APEC am 18. März 2019 stattfinden wird.

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