Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

22. März 2022, 14:29 Uhr | Ralf Higgelke
Toyoda Gosei, Gallium Nitride, galliumnitride, GaN
Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von über 150 mm hergestellt.
© Toyoda Gosei

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Ziel ist es, den Durchmesser noch weiter zu vergrößern.

Da sich die Gesellschaft in Richtung Kohlenstoffneutralität bewegt, ist die Anwendung und der umfassende Einsatz von Leistungsbauelementen beispielsweise aus Galliumnitrid (GaN) ein aussichtsreiches Mittel, um Energieverluste bei der Regelung großer Energiemengen in Anlagen für erneuerbare Energien und Elektrofahrzeugen zu verringern. Für die Entwicklung dieser Bauelemente werden GaN-Substrate mit höherer Qualität und größerem Durchmesser benötigt, um die Produktionskosten zu senken.

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Toyoda Gosei, Gallium Nitride, galliumnitride, GaN
Mit dieser Methode züchtet Toyoda Gosei die GaN-Kristalle in flüssigem Natrium und Gallium.
© Toyoda Gosei

In einem vom japanischen Umweltministerium geleiteten Projekt haben Toyoda Gosei und die Universität Osaka ein Verfahren angewandt, bei dem GaN-Kristalle in flüssigem, metallischem Natrium und Gallium gezüchtet werden (Natrium-Flux-Methode). Dabei hat Toyoda Gosei seine Expertise bei blauen LEDs und UV-C-LEDs in die Entwicklung eingebracht. Ziel ist es, hochwertige GaN-Substrate mit einem Durchmesser von über 150 mm herzustellen. Als nächstes soll die Qualität für die Massenproduktion von 150-mm-Substraten bewertet und die Qualität weiter verbessert und der Durchmesser vergrößert werden.


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