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SiC und GaN im Stromversorgungseinsatz

Wachsende Herstellerzahl befeuert den Wettbewerb

13. Juli 2016, 10:07 Uhr | Engelbert Hopf

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

mittelständische Struktur

Für Dieter Liesabeths, Director Power Sales EMEA bei Wolfspeed, A Cree Company, ist es gerade die mittelständische Struktur in der DACH-Region und Italien, die den fortschreitenden Einsatz von SiC-MOSFETs in Europa befeuert: »Natürlich sind das noch nicht die riesigen Stückzahlen, aber sie sorgen für ein regelmäßiges jährliches Wachstum von bis zu 30 Prozent.« Die großen Anwender, so seine Einschätzung, werden folgen, »wenn sie analysieren, wie es ihre mittelständischen Wettbewerber geschafft haben, sich vom Wettbewerb abzuheben«.

Paul Kierstead, Director of Marketing SiC Power Products bei Wolfspeed, A Cree Company, freut sich geradezu darüber, dass die Zahl der Wettbewerber nun deutlich steigt: »Wir sind froh, dass nun auch ein Schwergewicht wie Infineon in diesem Markt aktiv ist. Das beendet aus unserer Sicht viele Diskussionen darüber, ob man wirklich auf SiC-MOSFETs setzen sollte.« Als Pionier will man bei Wolfspeed natürlich auch in Zukunft die Nase vorne haben und kündigt schon mal SiC-MOSFETs mit Sperrspannungen von 3,5 und 6,5 kV an.

Und was tut sich bei GaN? Derzeit deutet alles darauf hin, dass Infineon Technologies auf der electronica 2016 in München nach CoolMOS und CoolSiC ab dem Herbst dieses Jahres auch CoolGaN anbieten wird. Zusammen mit On Semiconductor, das bis dahin wohl endlich Fairchild Semiconductor übernommen hat, wäre Infineon dann das bislang einzige Unternehmen am Markt, das sowohl Silizium- und SiC- als auch GaN-Leistungshalbleiter aus einer Hand anbieten kann.

Nachdem mit Texas Instruments im April dieses Jahres eines der Schwergewichte der Halbleiterbranche mit 600-V-GaN-FETs in den Ring gestiegen ist, wird STMicroelectronics wohl im nächsten Jahr in Sachen GaN aus dem Stealth-Modus hervortreten und dann mit Infineon und On Semiconductor in Sachen One-Stop-One-Buy bei Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleitern gleichziehen.

Recht aktiv zeigte sich zuletzt auch das Unternehmen Trans-phorm. Seit der Investor KKR vor gut einem Jahr noch einmal 70 Millionen Dollar in das Unternehmen investiert hat und damit die Summe der bisherigen Gesamtinvestitionen auf über 210 Millionen Dollar getrieben hat, bereitet man sich bei Transphorm auf den Übergang zum Massenmarkt vor und wappnet sich für die damit verbundenen Großaufträge aus der Industrie.

Was mit GaN-Leistungshalbleitern möglich ist, hatte zuletzt die von Google und dem IEEE ins Leben gerufene „Little Box Challenge“ gezeigt. Das Siegerprodukt, ein „Inverter CE+T Power´s“ aus Belgien, bietet eine Leistungsdichte von 142,9 W/Inch3, und das bei einem Volumen von gerade mal 14 Inch3. »Es sind Beispiele wie dieses«, freut sich denn auch Girvan Patterson, einer der beiden Gründer von GaN-Systems, mit deren GaN-Bausteinen dieses kompakte Inverterpaket realisiert wurde, »die zeigen was möglich ist, und damit den Weg für den Großserieneinsatz von GaN-Leistungshalbleitern bereiten«. Schließlich hat es entscheidenden Einfluss auf die Servicefreundlichkeit, ob ein Inverter nun 8 kg oder nur 3 kg wiegt.