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Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt. Diese These vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und…

Mehr Power auch für MedTech

Infineon will GaN-Systems übernehmen

Infineon zahlt 830 Millionen Dollar für GaN Systems. Der Kauf des kanadischen…

Konsolidierung bei Galliumnitrid

Infineon will GaN Systems für 830 Mio. Dollar übernehmen

Für 830 Millionen US-Dollar will Infineon Technologies den Galliumnitrid-Spezialisten GaN…

Themenwoche Leistungselektronik

Alle Beiträge im Überblick

Die Themenwoche »Leistungselektronik und Stromversorgung« liegt hinter uns. Hier finden…

Prognosen von GaN Systems für 2022

Mit Galliumnitrid den Klimazielen näher kommen

Die Stromerzeugung ist für 43 Prozent der globalen Kohlendioxid-Emissionen verantwortlich.…

Galliumnitrid / Elektromobilität

BMW sichert sich Fertigungskapazitäten bei GaN Systems

Für mehrere hundert Millionen US-Dollar hat sich die BMW Group Fertigungskapazitäten bei…

Leistungselektronik

Produkt-Highlights der Virtual APEC 2021

Wer in diesem Jahr die digitalen Versionen der PCIM Europe und der APEC verfolgt hat, der…

GaN Systems

GaN-Transistoren durchbrechen 1-Dollar-Schallmauer

GaN Systems hat bekannt gegeben, dass seine GaN-Transistoren für niedrige Ströme und hohe…

Interview mit Christian André, Rohm

»SiC ist ein wildes Tier«

Wie Christian André, Chairman Rohm Semiconductor Europe, bekräftigt, hält das Unternehmen…

Referenzdesign

Adapternetzteil mit 300 W

Unterhaltungselektronik wie Fernseher, Gaming-Notebooks und -Konsolen, aber auch…