Mit dem »Planet Navitas« zeigt Navitas Semiconductor an seinem Messestand auf der PCIM 2024 seine neueste Generation von Galliumnitrid- (GaNFast) und Siliziumkarbid- (GeneSiC) Leistungshalbleitern für Anwendungen von 20 W bis 20 MW.
Zu den wichtigsten Neuheiten gehören GaNSafe – die nach eigener Aussage weltweit am besten geschützte, zuverlässigste und leistungsstärkste GaN-Stromversorgung –, Gen-4-GaNSense-Half-Bridge-ICs und Gen-3-Fast-GeneSiC-Power-FETs.
Entsprechend seinem Motto »Electrify Our World« hat das Unternehmen seinen Messestand mit Beispielen bestückt, die Besuchern die GaN- und SiC-Technik der nächsten Generation demonstrieren.
Jedes Beispiel – EV-Transport, KI-Rechenzentren, industrielle Kompressoren, Antriebe und Robotik sowie erneuerbare Energiegewinnung und -speicherung – hebt die Vorteile für den Endnutzer hervor, z. B. erhöhte Mobilität, größere Reichweite, schnelleres Aufladen und Netzunabhängigkeit. Anhand der Beispiele verdeutlicht Navitas Semiconductor, wie die GaN- und SiC-Technik mit ihrem geringen CO2-Fußabdruck bis 2050 über 6 Gt/Jahr CO2 einsparen kann.
Halle 9, Stand 544