Sanan Semiconductor
Fokus auf die Automobilindustrie
6. Juni 2024, 9:57 Uhr |
Engelbert Hopf
Auf der PCIM stellt Sanan Semiconductor eine ganze Reihe AEC-Q101-zertifizierter Neuheiten im Bereich Siliziumkarbid-Applikationen vor.
Diesen Artikel anhören
So werden beispielsweise zwei neue Generationen von SiC-MOSFETs vorgestellt: planare SiC-MOSFETs der zweiten Generation sowie Trench-SiC-MOSFETs der dritten Generation. Hier setzt Sanan auf besonders dünne SiC-Wafer von nur 120 µm Dicke, um hohe Stromdichten bei sehr geringen Verlusten zu erreichen. Gezeigt werden auch neue Schottky-Barrier-Dioden auf SiC-Basis in vierter und fünfter Generation, konzipiert für allgemeine und anspruchsvolle Anwendungen im Power-Bereich. Sanan Semiconductor setzt auf eine vertikale Wertschöpfung; das Unternehmen führt alle Prozessschritte von der Herstellung des Wafersubstrats über die Chipfertigung bis hin zur Gehäusetechnologie selbst durch.
Halle 9, Stand 248
Jobangebote+ passend zum Thema
GLYN GmbH & Co. KG, Pforzheim
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Semikron Danfoss setzt auf Automotive
»eMPack-Serienproduktion ab 4. Quartal«
SiC-Rampe wird ab 2025 immer steiler
Stromhunger von KI-Anwendungen treibt Leistungshalbleiter-Markt
Toshiba Electronics Europe
Elektromobilität, Industrie, Energie und Infrastruktur
Navitas Semiconductor
Hochzuverlässige Leistungshalbleiter
Taiwan Semiconductor
Mehr als 20-jährige Zusammenarbeit
Zestron
Leistungs- und Signalelektronik für HV und E-Mobility
Mersen
SiC-Power-Stack bis 500 kVA
ASMPT
Power-Modul-Fertigungskonzepte
Monolithic Power System (MPS)
Ultrakleines isoliertes Leistungsmodul
Querom Elektronik
Hochvolt DC/DC-Wandler
Rutronik
Komplette Bandbreite
Rohm Semiconductor
EcoGaN und SiC-Power-Module
PCIM Europe 11. bis 13. Juni
In der Herzkammer der Leistungselektronik
Geely Auto/STMicroelectronics
Langfristiger SiC-Liefervertrag und gemeinsames Labor
TOLT- und Thin-TOLL-Gehäuse
CoolSiC MOSFETs 650 V G2 verbessern die Systemleistungsdichte
Elektronik für Photovoltaik-Anlagen
Neue SiC-Module machen Solarwechselrichter effizienter
Mehr SiC-Komponenten
X-FAB fertigt »SmartSiC«-Wafer für Soitec
Leistungselektronik für saubere Energie
Damit arbeiten Solaranlagen effizient und kostengünstig
Automotive: SiC-Halbleiter
Technologie und Lieferkette sind entscheidend
Liefervertrag wird aufgebohrt
STMicroelectronics erweitert SiC-Wafer-Volumen mit SiCrystal
Infineon/FOXESS
Power semiconductors for energy storage applications
Renesas Electronics
300-mm-Fab in Kofu für Leistungshalbleiter eröffnet
Video: Richtige Treiber für GaN-Nutzung
GaN ja, aber richtig!
Angriff auf SiC- und GaN-Domäne
Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an
