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X-FAB fertigt »SmartSiC«-Wafer für Soitec

23. Mai 2024, 6:17 Uhr | Heinz Arnold

Die Fab von X-FAB in Lubbock/Texas

X-FAB wird die »SmartSiC«-Wafer von Soitec, die das Unternehmen für die effiziente Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern entwickelt hat, in ihrer Fab in Lubbock/Texas fertigen.

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X-Fab, Pionier und Vorreiter des Foundry-Modells auf dem schnell wachsenden SiC-Markt, hat in der Fab in Texas bereits »SmartSiC«-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Nachdem die Bewertungsphase erfolgreich abgeschlossen werden konnte, startet jetzt die Zusammenarbeit mit Soitec. Soitec wird den Kunden von X-FAB über ein gemeinsames Lieferketten-Konsignationsmodell den einfachen Zugang zum den »SmartSiC«-Wafern bieten.

»Diese Zusammenarbeit ist ein wichtiger Meilenstein für die Einführung von „SmartSiC“ auf dem US-Markt – und dank der globalen Präsenz von X-FAB auch international«, sagt Emmanuel Sabonnadiere, Soitec Executive Vice President Automotive and Industry von Soitec. Die Foundry-Dienstleistungen von Soitec und die »SmartSiC«-Substrate von Soitec ergänzten sich gut, um die steigende Nachfrage nach neuen, robusten SiC-Produkten für den Einsatz in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industriellen Anwendungen zu entwickeln und zu produzieren.

So funktioniert »SmartSiC«

»SmartSiC« nennt Soitec ihre proprietäre Technologie, die auf dem »SmartCut«-Prozess des Unternehmens basiert: Dabei wird eine dünne Schicht eines hochwertigen monokristallinen (Mono-SiC) »Donor«-Wafers abgespalten und auf einen polykristallinen (Poly-SiC) »Handle«-Wafer mit geringem Widerstand gebondet. Auf dem so entstandenen Substrat lassen sich SiC-Leistungshalbleiter herstellen, die eine höhere Leistungsfähigkeit erreichen als in konventionellen Prozessen gefertigte Substrate. Das Verfahren ermöglicht zudem, dass ein einziger Donor-Wafer mehrfach wiederverwendet werden kann, was die Kosten und die damit verbundenen CO2-Emissionen erheblich reduziert.

Soitec und X-FAB erhöhen SiC-Kapazitäten

Weil der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern schnell wächst, fährt Soitec die Produktion von »SmartSiC«-Substraten in seinem neuen Werk in Bernin bei Grenoble (Frankreich) hoch. X-FAB erhöht die Produktionskapazität für SiC-Bauelemente im Werk in Lubbock. Der Einsatz des »SmartSiC«-Substrats ermöglicht es den Kunden von X-FAB, kleinere Bauelemente zu entwerfen, was zu Effizienzsteigerungen durch eine höhere Anzahl von Dies pro Wafer führt. Der Vorteil der verringerten CO2-Emissionen aus dem Herstellungsprozess des Substrats trägt auch zur Initiative von X-FAB bei, seinen gesamten CO2-Fußabdruck zu verringern.