Rohm Semiconductor
EcoGaN und SiC-Power-Module
Rohm Semiconductor nutzt die Messe zur Vorstellung seiner neuen Leistungshalbleiter mit Fokus vor allem auf SiC und GaN.
So zeigt das Unternehmen an seinem Stand der PCIM seine neuen SiC-Leistungsmodule für Automobilanwendungen. Darüber hinaus zeigt Rohm Ergebnisse der Umstellung auf 8-Zoll-SiC-Wafer und gibt einen Ausblick auf seine weiteren SiC-Produktentwicklungen. Rohms SiC-MOSFETs der 4. Generation zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus, der die Schaltverluste minimiert und 15 und 18 V Gate-Source-Spannung unterstützt. Parallel dazu stellt das Unternehmen mithilfe mehrerer Evaluation-Kits seine EcoGaN-Familie von GaN-HEMTs der 150- und 650-V-Klasse vor. Gezeigt werden auch die Leistungsstufen-ICs der BM3GxxMUV-LB-Serie einschließlich integrierter 650-V-GaN-HEMTs und Gate-Treiber, die um höher integrierte PFC- und QR-Flyback-Wandler erweitert wurden.
Halle 9, Stand 304
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