Video: Richtige Treiber für GaN-Nutzung
GaN ja, aber richtig!
9. April 2024, 9:30 Uhr |
Iris Stroh
Galliumnitrid (GaN) hatte im Vergleich zu Siliciumcarbid (SiC) lange mit dem Image zu kämpfen, unzuverlässig zu sein. Ein Teil dieses schlechten Images ist auf den falschen Umgang mit den Komponenten zurückzuführen.
Diesen Artikel anhören
Und auch wenn mittlerweile die Image-Probleme zum Großteil behoben zu sein scheinen, sollte der Entwickler sich dessen bewusst sein, dass ein einfacher Austausch von Si- mit GaN-Bausteinen nicht funktioniert. Wie der Umstieg problemlos geht, erklärt Frederik Dostal, Power-Experte von Analog Devices im Interview.
Jobangebote+ passend zum Thema
GLYN GmbH & Co. KG, Pforzheim
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
GLYN GmbH & Co. KG, Idstein
© elektroniknet
Die höhere Leistungsdichte von GaN bedeutet höhere Leistung auf kleinerer Fläche, weniger Komponenten, kleinere Systeme und geringeres Gewicht. Wir sprachen mit Frederik Dostal, Power Experte von Analog Devices, über GaN-Treiber und was dabei zu beachten ist.
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Das Angebot wird größer
Komponenten rund um GaN
Besseres Systemdesign bei DC/DC-Wandlern
Spitzenwirkungsgrade bis 97 Prozent
Semikron Danfoss setzt auf Automotive
»eMPack-Serienproduktion ab 4. Quartal«
Navitas Semiconductor
Hochzuverlässige Leistungshalbleiter
Taiwan Semiconductor
Mehr als 20-jährige Zusammenarbeit
Sanan Semiconductor
Fokus auf die Automobilindustrie
Zestron
Leistungs- und Signalelektronik für HV und E-Mobility
Mersen
SiC-Power-Stack bis 500 kVA
Rutronik
Komplette Bandbreite
Bidirektionale Leistungswandler
Das Maximum aus ESS herausholen
GaN-Treiber
Robuste und zuverlässige Ansteuerung von GaN-FETs
JASM
Analog Devices sichert sich Wafer-Kapazitäten bei TSMC
FPGA-Eval-Board »Lattice CertusPro-NX«
Energiezufuhr auf Maß getrimmt
