Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

29. November 2022, 10:31 Uhr | Ralf Higgelke
Hassane El-Khoury, onsemi, electronica 2022, Ralf Higgelke
Auf der electronica fragte Markt&Technik-Redakteur Ralf Higgelke (links) Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und vor allem wie er Siliziumkarbid weiter vorantreiben will und warum er alle Aktivitäten bei Galliumnitrid eingestellt hat.
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Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und vor allem wie er Siliziumkarbid weiter vorantreiben will und warum er alle Aktivitäten bei Galliumnitrid eingestellt hat.

»Bei onsemi entwickeln wir intelligente Energie- und Sensortechnologien, die die anspruchsvollsten Probleme unserer Kunden lösen«, umreißt Hassane El-Khoury, President und CEO, die neue Strategie des Unternehmens. Um dies zu erreichen, hat er Siliziumkarbid als Kernstück der intelligenten Energietechnologien identifiziert, die die neue Welle der Elektrifizierung und der erneuerbaren Energien einleiten werden. »Deshalb«, so fügt er hinzu, »fließen viele Investitionen in diese Richtung.«

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Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und vor allem wie er Siliziumkarbid weiter vorantreiben will und warum er alle Aktivitäten bei Galliumnitrid eingestellt hat.

Im Oktober 2021 hat onsemi den SiC-Substrathersteller GT Advanced Technologies (GTAT) für 415 Mio. US-Dollar übernommen. »Dies beschleunigte unsere Möglichkeiten, unser eigenes Substrat zu entwickeln. Seitdem haben wir diesen Standort in New Hampshire ausgebaut und werden die Materialkapazität bis Ende 2022 um das Fünffache erhöhen. Und bis Ende 2023 werden wir den größten Teil unseres Substrats intern beziehen«, betonte El-Khoury. »Durch diese vertikale Integration ist unsere Lieferkette nun stabil und belastbar. Unsere Kunden können sich deshalb darauf verlassen, dass wir sie mit den gewünschten Komponenten versorgen können.«

Gleichzeitig erhöht onsemi seine Kapazitäten für das Wafering und die Epitaxie am tschechischen Standort Roznov sowie für die Waferprozessierung in Bucheon (Südkorea), um dem höheren Ausstoß an SiC-Substraten Rechnung zu tragen. »In Bucheon verdoppeln wir die Kapazität, und wir haben die Möglichkeit, die Kapazität im nächsten Jahr nochmals zu verdoppeln«, fügte El-Khoury hinzu.

Mit der Konzentration auf Siliziumkarbid stellte Hassane El-Khoury alle internen Aktivitäten im Bereich Galliumnitrid ein. »Mit Blick auf unsere Zielmärkte – Automobil und Industrie –, ist Siliziumkarbid im Hinblick auf die Leistungsmerkmale viel besser geeignet als Galliumnitrid. Ich möchte nicht, dass uns irgendetwas von der Umsetzung unserer Strategie ablenkt«, stellte El-Khoury unmissverständlich klar. »Aber«, so fügte er hinzu, »sollte sich der Markt fortentwickeln und GaN in unseren strategischen Zielmärkten eine bedeutende Rolle spielen, werden wir diese Kompetenz durch eine Übernahme zukaufen.«


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