Die APEC bietet immer eine gute Gelegenheit, neue Technologien oder Produkte vorzustellen. EPC zeigte seine fünfte Generation an »eGaN«-Transistoren (Bild 3). Bei dieser fälschlich als »Quantensprung« titulierten Produkteinführung halbierte das von Alex Lidow geleitete Unternehmen die Chipfläche nochmals bei gleichbleibenden elektrischen Kennzahlen.
Doch auch Platzhirsch Silizium sollte man nicht abschreiben, dieser ist immer wieder für Überraschungen gut. So hat D3 Semiconductor seine Tarnkappe abgestreift. Dieses Fabless-Halbleiterunternehmen lässt Superjunction-MOSFETs in einer Foundry fertigen. Besonderen Wert legt das Unternehmen auf die Feststellung, dass dies nicht einfach Nachbauten bekannter Superjunction-MOSFETs seien. Vielmehr wären die Bauelemente mit weiteren Analogschaltungen angereichert worden. Das anfängliche Portfolio umfasst mehr als 50 »+FET«-Bausteine mit 13 verschiedenen Einschaltwiderständen (RDS(ON)) im Bereich von 32 mΩ bis 1 Ω. Fünf Typen sind bereits verfügbar, die übrigen werden im zweiten und dritten Quartal 2017 folgen. Die verfügbaren Gehäusetypen umfassen traditionelle Through-Hole- (TO-220/ TO-220FP) wie auch SMD-Gehäuse (DPAK/D²PAK; PQFN 5x6/8x8).