Nachlese APEC 2017

SiC startet in den Massenmarkt

7. Juni 2017, 11:00 Uhr | Ralf Higgelke
Diesen Artikel anhören

Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Neue Produkte

EPC Efficient Power Conversion
Bild 3: Bauteile der fünften Generation der »eGaN«-Schalter von EPC sind bei gleichen elektrischen Parametern gerade einmal halb so groß wie die der Vorgängergeneration.
© EPC Efficient Power Conversion

Die APEC bietet immer eine gute Gelegenheit, neue Technologien oder Produkte vorzustellen. EPC zeigte seine fünfte Generation an »eGaN«-Transistoren (Bild 3). Bei dieser fälschlich als »Quantensprung« titulierten Produkteinführung halbierte das von Alex Lidow geleitete Unternehmen die Chipfläche nochmals bei gleichbleibenden elektrischen Kennzahlen.

Doch auch Platzhirsch Silizium sollte man nicht abschreiben, dieser ist immer wieder für Überraschungen gut. So hat D3 Semiconductor seine Tarnkappe abgestreift. Dieses Fabless-Halbleiterunternehmen lässt Superjunction-MOSFETs in einer Foundry fertigen. Besonderen Wert legt das Unternehmen auf die Feststellung, dass dies nicht einfach Nachbauten bekannter Superjunction-MOSFETs seien. Vielmehr wären die Bauelemente mit weiteren Analogschaltungen angereichert worden. Das anfängliche Portfolio umfasst mehr als 50 »+FET«-Bausteine mit 13 verschiedenen Einschaltwiderständen (RDS(ON)) im Bereich von 32 mΩ bis 1 Ω. Fünf Typen sind bereits verfügbar, die übrigen werden im zweiten und dritten Quartal 2017 folgen. Die verfügbaren Gehäusetypen umfassen traditionelle Through-Hole- (TO-220/ TO-220FP) wie auch SMD-Gehäuse (DPAK/D²PAK; PQFN 5x6/8x8).

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

  1. SiC startet in den Massenmarkt
  2. Brauchen wir neue Topologien?
  3. Neue Produkte

Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Leistungselektronik

Produkt-Highlights der Virtual APEC 2021

Interview mit Professor Leo Lorenz, ECPE

»Die Passiven sind der Flaschenhals«

Rückblick APEC 2018

Integration auf mehreren Ebenen

IEDM 2017

Widerstand von SiC-MOSFETs um zwei Drittel senken

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Schnell noch anmelden!

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs parallelisieren

North Carolina State University

Foundry-Prozess für Siliziumkarbid

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017

Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter

JEDEC-Ausschuss gebildet

Standardisierung bei GaN und SiC

Nach IXYS-Akquisition von Littelfuse

Yole prognostiziert: Module befeuern den IGBT-Markt

Anwenderforum Leistungshalbleiter

GaN? SiC? Oder doch lieber Silizium?

Microsemi tritt PowerAmerica bei

SiC-MOSFETs und -Dioden für 1,7 kV und 3,3 kV im Fokus

Gleichspannungswandler im Fahrzeug

Eingangsstufe gegen Transienten schützen

Leistungs-MOSFETs

SiC aus der CMOS-Fab

Toshiba / ISPDP 2017

Zielkonflikt zwischen ESD und Durchbruchspannung überwunden

IMS statt PCB

Optimale Entwärmung von GaN-Bauelementen auf Systemebene

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Interview mit Prof. Leo Lorenz

»Renault setzt auf GaN«

APEC 2017

Kolar enthüllt seinen Beitrag zur Google Little Box Challenge

APEC 2017

An den Lippen von Ray Ridley

APEC 2017

SiC-MOSFETs richtig eindesignen

Nachlese APEC 2016

GaN und Magnetics im Brennpunkt

Exklusiv-Interview mit Prof. Leo Lorenz

Halbleiter sind das neue Öl

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu Componeers GmbH

Weitere Artikel zu Energieerzeugung

Weitere Artikel zu DC/DC-Wandler

Weitere Artikel zu Wandler Sonstige

Weitere Artikel zu Energietechnik

Weitere Artikel zu AC/DC-Wandler/Netzgeräte

Weitere Artikel zu Induktive Bauelemente

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs