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Anwenderforum Leistungshalbleiter

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24. August 2017, 15:19 Uhr   |  Ralf Higgelke

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© Horacio Canals / WEKA Fachmedien

Norbert Pieper, Senior Vice President Business Development bei Vishay, beleuchtet in seiner Keynote auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter das Thema: »Semiconductor Technologies at the crossroads – how to enable transition in power electronics«.

Wenn Sie wissen wollen, worin sich Leistungshalbleiter aus SiC und GaN gegenüber solchen aus Silizium unterscheiden, dann sollten Sie das Anwenderforum Leistungshalbleiter am 22. und 23.11.2017 in München nicht verpassen.

Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender, dessen Stärken zuweilen nicht in der Leistungselektronik liegen, in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?

Hilfestellung sollen Entwickler auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter erhalten, das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 22. bis 23. November 2017 im Konferenzzentrum München veranstalten. Das Programm ist nun online, ab sofort können Sie sich anmelden.

Begleitet wird die zweitägige Veranstaltung von einer Table-Top-Messe verschiedener Hersteller und Anbieter von Leistungshalbleitern. Die Veranstaltung richtet sich in erster Linie an Entwickler im Bereich Leistungselektronik aus der DACH-Region, und findet überwiegend in deutscher Sprache statt. Applikationstechnisch widmet sich die Veranstaltung vor allem dem Einsatz von Leistungshalbleitern in den Bereichen Industrieelektronik, Medizintechnik, Erneuerbaren Energien und Automotive.

Jeder der beiden Veranstaltungstage wird durch Keynotes bekannter Persönlichkeiten aus dem Bereich Leistungshalbleiter eröffnet. Norbert Pieper, Senior Vice President Business Development von Vishay, wird zu dem Thema »Semiconductor Technologies at the crossroads – how to enable transition in power electronics« Stellung nehmen. Dr. Peter Wawer, als Division President IPC verantwortlich für das Thema IGBT und SiC bei Infineon, wird näher beleuchten, Wie Siliziumkarbid die Leistungselektronik verändern wird. Frédéric Dupont, CEO von Exagan, wird seine Vision von Hochvolt-GaN-Transistoren darlegen. Und Dieter Liesabeths, Director Power Sales EMEA bei Wolfspeed, wird auf die Herausforderungen der Automobil-Industrie in Bezug auf Wide-Band-Gap-Materialen eingehen.

In drei Intensivseminaren zu den Bereichen Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid werden die Teilnehmer fit gemacht. Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC bei Infineon, referiert 60 Minuten zu dem Thema »Siliziumkarbid in der Anwendung«, Dr. Kurt Smith, Reliability Manager bei Transphorm, spricht über »GaN Power Switch Reliability« und Dr. Martin Schulz, Application Engineering Manager bei Infineon, bespricht das Thema »Zuverlässigkeit und Robustheit von Power-Modulen«.

Rund zwei Dutzend Vorträge werden den Besuchern des ersten Anwenderforums Leistungshalbleiter der Markt&Technik und Design&Elektronik, Informationen von Profis für Profis bieten.

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