Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

16. Mai 2017, 7:19 Uhr | Irina Hübner

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine Trenchstop- und Trenchstop-Highspeed-3-IGBTs entwickelt.

Mit den neuen Gehäusen soll sich ein besseres thermisches Verhalten und eine einfachere Fertigung erreichen lassen. Beide Versionen sind leistungsoptimiert, damit sowohl vollisolierte Gehäuse (FullPAK) als auch Standard- und Hochleistungs-Isolationsfolien zu ersetzt werden können. Besonders geeignet sind die Gehäuse für Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur für Klimaanlagen, USVs und Leistungsumrichter für Motoren.

Die gängigen Isolationsmöglichkeiten wie FullPAK- oder Standard-TO-Gehäuse mit Isolationsmaterial sind teuer und schwierig zu handhaben. Darüber hinaus erfüllen sie bei der Wärmeableitung nicht die Anforderungen der neuesten IGBTs mit hoher Leistungsdichte. Trenchstop Advanced Isolation besitzt die gleiche Grundfläche wie ein Standard-TO-247-Gehäuse und bietet eine hundertprozentige Isolierung.

Die Notwendigkeit für thermische Isolationsfolien oder Wärmeleitpaste entfällt. Dank der effektiven Wärmeableitung vom IGBT-Chip zum Kühlkörper ermöglicht das neue Gehäuse eine höhere Leistungsdichte. Es verbessert damit die Zuverlässigkeit und reduziert zudem System- und Herstellungskosten.

Die Infineon-Gehäuse besitzen eine niedrige Koppelkapazität von nur 38 pF. Damit ist das EMI-Verhalten deutlich besser als bei bisherigen Gehäusen und Filter lassen sich kleiner dimensionieren. Die verbesserten thermischen Eigenschaften tragen zu einer besseren Zuverlässigkeit bei, denn der IGBT läuft bei einer niedrigeren Temperatur. Diese niedrigeren Temperaturen haben zur Folge, dass die Kühlkörpergröße reduziert werden kann.

Die Trenchstop-Advanced-Isolation-Gehäusetechnologie soll ab dem dritten Quartal 2017 erhältlich sein. Das Produktportfolio wird zunächst IGBTs von 40 A bis 90 A in der 600-V-Spannungsklasse umfassen.