Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

7. April 2022, 16:18 Uhr | Ralf Higgelke
Microchip, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
© Microchip Technology

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind Leistungshalbleiter mit 3,3 kV Sperrspannung gefragt. Nun hat Microchip dementsprechende MOSFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) vorgestellt.

Um Entwickler von Bahnstromversorgungen (Traction Power Units, TPUs), Hilfsstromaggregaten (Auxiliary Power Units, APUs), Halbleitertransformatoren (Solid State Transformers), industriellen Motorantrieben und Energie-Infrastrukturlösungen zu unterstützen, hat Microchip Technology sein Angebot bei Siliziumkarbid (SiC) um einen MOSFET und eine Schottky-Diode für 3,3 kV erweitert.

Der MOSFET MSC025SMA330 hat einen Einschaltwiderstand RDS(on) von 25 mΩ, während die Schottky-Diode MSC090SDA330 für einen Nennstrom von 90 A spezifiziert ist. Beide sind als Die bzw. Chip oder in verschiedenen Gehäuseoptionen ab sofort in Serie erhältlich. Dadurch sollen Entwickler ihr Design vereinfachen, Systeme mit mehr Leistung bereitstellen und weniger parallele Bauelemente für kleinere, leichtere und effizientere Leistungselektroniklösungen verwenden können.

»Wir konzentrieren uns auf Entwicklungen, die unseren Kunden die Möglichkeit geben, zeitnah neue Systeme zu entwickeln und ihre Endprodukte schneller auf den Markt zu bringen«, so Leon Gross, Vice President der Discrete Product Business Unit bei Microchip. »Unsere neue Serie von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen ermöglicht es Kunden, einfach, schnell und sicher auf High-Voltage-SiC umzusteigen und von den Vorteilen dieser Technik gegenüber Si-basierten Designs zu profitieren.«

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