Microchip Technology
SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV
Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind Leistungshalbleiter mit 3,3 kV Sperrspannung gefragt. Nun hat Microchip dementsprechende MOSFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) vorgestellt.
Um Entwickler von Bahnstromversorgungen (Traction Power Units, TPUs), Hilfsstromaggregaten (Auxiliary Power Units, APUs), Halbleitertransformatoren (Solid State Transformers), industriellen Motorantrieben und Energie-Infrastrukturlösungen zu unterstützen, hat Microchip Technology sein Angebot bei Siliziumkarbid (SiC) um einen MOSFET und eine Schottky-Diode für 3,3 kV erweitert.
Der MOSFET MSC025SMA330 hat einen Einschaltwiderstand RDS(on) von 25 mΩ, während die Schottky-Diode MSC090SDA330 für einen Nennstrom von 90 A spezifiziert ist. Beide sind als Die bzw. Chip oder in verschiedenen Gehäuseoptionen ab sofort in Serie erhältlich. Dadurch sollen Entwickler ihr Design vereinfachen, Systeme mit mehr Leistung bereitstellen und weniger parallele Bauelemente für kleinere, leichtere und effizientere Leistungselektroniklösungen verwenden können.
»Wir konzentrieren uns auf Entwicklungen, die unseren Kunden die Möglichkeit geben, zeitnah neue Systeme zu entwickeln und ihre Endprodukte schneller auf den Markt zu bringen«, so Leon Gross, Vice President der Discrete Product Business Unit bei Microchip. »Unsere neue Serie von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen ermöglicht es Kunden, einfach, schnell und sicher auf High-Voltage-SiC umzusteigen und von den Vorteilen dieser Technik gegenüber Si-basierten Designs zu profitieren.«
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Ansteuerung von SiC-MOSFETs
Vorteile digitaler Gate-Treiber
Bond-Wireless-Verbindungen
Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik
Know-how-Transfer in Präsenz
6. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Motor-Expert Suite für BridgeSwitch-ICs
Steuersoftware für Drei-Phasen-BLDC-Motortreiber
Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC
»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«
MPU mit MIPI-CSI-2 und Audio
Cortex-A7-Prozessor mit niedrigem Stromverbrauch
Interview: Dr. John Palmour, Wolfspeed
»Thema Die Shrink noch lange nicht ausgereizt«
Neu: Semikron-Danfoss ab 2023
»Wir investieren massiv in eMPack-Module«
Sichere Schlüsselbereitstellung
MCU mit Sicherheits-Subsystem und Arm-TrustZone
Rohm präsentiert vierte Generation
Neue SiC-MOSFETs erweitern die Grenzen der Leistungselektronik
8-Bit-Mikrocontroller
Fünf neue Familien mit über 60 Komponenten
Marktanalyse von Yole
SiC-Anbieter entfalten sich entlang der Wertschöpfungskette
Keine Spur von Entspannung auf dem Markt
Lieferzeiten und Preise ziehen weiter an
Siliziumkarbid-MOSFETs
Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie
Mangelware Leistungshalbleiter
Bis zu einem Jahr Lieferzeit für Halbleiter-Fertigungsequipment
Siliziumkarbid
SiCrystal feiert 25-jähriges Bestehen
Siliziumkarbid
Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer
MOSFETs für hocheffiziente BMS
Siliziumkarbid lautet das Zauberwort
Schaltenergien bestimmen
Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen
Siliziumkarbid-Wafer
II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung
Wide-Bandgap-Halbleiter
Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid
Interview mit Armin Derpmanns, Toshiba
»Wir fokussieren uns jetzt voll auf Power«
Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz
Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD
Neue Wafer-Fab in Malaysia
Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN
