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Investitionen in die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern

1. Februar 2022, 10:48 Uhr | Ralf Higgelke
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Um die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zu erhöhen, will Fuji Electric in seinen Standort im japanischen Goshogawara (Präfektur Aomori) investieren. Der Beginn der Serienfertigung ist für das Geschäftsjahr 2024 geplant.

Im mittelfristigen Fünfjahresplan bis zum Geschäftsjahr 2023 hat Fuji Electric angekündigt, insgesamt 120 Mrd. Yen (930 Mio. Euro) in Leistungshalbleiter investieren zu wollen. Obwohl sich die Investitionen derzeit auf Front-End-Produktionslinien für 200-mm-Silizium-Wafer konzentrieren, dürften die Investitionen in Leistungshalbleiter, einschließlich dieser Investition in SiC-Leistungshalbleiter, vor dem Hintergrund der steigenden Nachfrage nach elektrifizierten Fahrzeugen und erneuerbaren Energien auf 190 Mrd. Yen (1,47 Mrd. Euro) wachsen.

Fuji Electric rechnet damit, dass der Markt für Leistungshalbleiter im Geschäftsjahr 2024 etwa 2 Billionen Yen (15,48 Mrd. Euro) erreichen dürfte, wobei der Anteil an SiC-Leistungshalbleitern bei etwa acht Prozent liegen dürfte. Allerdings dürfte der Markt für SiC-Leistungshalbleiter von 2021 bis 2024 um mindestens 17 Prozent steigen.

Bislang hat das Unternehmen SiC-Leistungshalbleiter für Anlagen wie Wechselrichter für Schienenfahrzeuge und Power-Conditioning-Systeme für Photovoltaik-Anlagen entwickelt. Da der Markt für elektrisch betriebene Fahrzeuge aber steigt, will Fuji Electric Produkte für diesen Anwendungsbereich ausdehnen und damit einen Beitrag für eine dekarbonisierte Gesellschaft leisten.

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