Wide-Bandgap-Halbleiter
Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid
Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an seinem Hauptsitz im französischen Bernin eine neue Fertigungseinrichtung bauen. Die mit dieser Technologie gefertigten SmartSiC-Wafer sollen die hohen Materialkosten für SiC-Bauelemente drastisch senken.
Eine neue Fertigungseinrichtung am Hauptsitz im französischen Bernin hat Soitec angekündigt. Dort sollen in erster Linie neuartige Siliziumkarbid-Wafer hergestellt werden, die den zentralen Herausforderungen der Märkte für Elektrofahrzeuge und Industrieanwendungen gerecht werden. Die Erweiterung wird auch die Aktivitäten von Soitec im Bereich Silicon-on-Insulator (SOI) mit 300 mm Durchmesser unterstützen.
In der Anlage sollen SmartSiC-Wafer hergestellt werden, die Soitec im Substrat-Innovationszentrum des CEA-Leti in Grenoble entwickelt hat und die proprietäre SmartCut-Technologie nutzt. Diese neue Generation von Siliziumkarbid-Wafern bietet einen erheblichen Mehrwert für industrielle Anwendungen und Elektrofahrzeuge, da sie deutlich kostengünstiger sein können als heutige SiC-Wafer. Bei seinen SmartSiC-Produkten arbeitet Soitec nach eigener Aussage mit großen Herstellern von SiC-Bauelementen zusammen und plant, in der zweiten Hälfte des Kalenderjahres 2023 erste Umsätze zu erzielen.
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