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HF-Leistungshalbleiter

Cree kauft HF-Leistungshalbleitersparte von Infineon

07. März 2018, 13:13 Uhr   |  Harry Schubert

Cree kauft HF-Leistungshalbleitersparte von Infineon
© Macro photo - Shutterstock

Vor rund einem Jahr scheiterte die von Infineon geplante Übernahme von Wolfspeed, einer Cree-Tochter, die auf GaN- und SiC-Leistungshalbleiter spezialisiert ist. Nun kauft Cree bei Infineon zu.

Einen Betrag von ca. 345 Mio. Euro zahlt Cree, Inc. an die Infineon Technologies AG um den größten Teil des Geschäftsfeldes für HF-Leistungshalbleiter von Infineon zu übernehmen. Beide Unternehmen arbeiten schon seit langem zusammen.

Erst im Februar 2016 scheiterte die zuvor vereinbarte Übernahme des Cree-Tochterunternehmens Wolfspeed durch Infineon am Veto des Genehmigungsausschusses der US-Regierung (Committee on Foreign Investment in the United States – CFIUS), dass nationale Sicherheitsrisiken in der Übernahme sah.

Gregg Lowe, CEO von Cree, Inc.
© Cree

Gregg Lowe, CEO von Cree, Inc.: »Die Transaktion ist ein wichtiger Bestandteil der Wachstumsstrategie von Cree. Wolfspeed ist so gut aufgestellt, um schnellere 4G-Netzwerke und den bevorstehenden Übergang zu 5G, der Mobilfunktechnik der neuesten Generation, zu unterstützen.«

Infineon wollte Cree 850 Mio. US-Dollar für Wolfspeed zahlen, um die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern und GaN-on-SiC-HF-Leistungshalbleitern incl. der SiC-Wafer-Produktion zu übernehmen.

Die am 6. März 2018 bekannt gegebene Transaktion der Teile für die Produktion von HF-Leistungshalbleitern von Infineon zu Cree ist bereits abgeschlossen.

Zusätzlich zum Know-how und den Experten für HF-Leistungshalbleiter erwirbt Wolfspeed auch Fertigungskapazitäten und Kundenbeziehungen. Wolfspeed kann dadurch seine Marktposition im Vertrieb von HF-Transistoren und MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuit) für Funkanwendungen ausbauen, die auf LDMOS (Lateral Double-diffused MOSFET) und Galliumnitrid-auf-Siliziumcarbid (GaN-on-SiC) basieren.

Die verkauften Bereiche im Detail

Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG
© Infineon

Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG: »Für uns ist Cree mit seinem exzellenten Ruf der ideale Eigentümer für diesen Bereich unseres Geschäfts für Hochfrequenz-Leistungskomponenten«.

Cree übernimmt von Infineon das Geschäft mit HF-Leistungshalbleitern für Mobilfunk-Infrastruktur in Morgan Hill und Chandler, beide in den USA, sowie weitere Standorte in China, Schweden, Finnland und Südkorea. Mit der Transaktion übergibt Infineon auch geistiges Eigentum (IP).

Die Transaktion umfasst:

  • die Fertigungsstätte (Backend) in Morgan Hill, wo das Packaging und der Test für LDMOS- und GaN-on-SiC-Halbleiter durchgeführt werden,
  • internationale Vertriebsbüros und Service-Ingenieure, die enge Kundenbeziehungen zu den führenden Herstellern von Ausrüstungen für die Mobilfunk-Infrastruktur haben,
  • etwa 260 Angestellte an den Standorten in den USA, Morgan Hill (Kalifornien) und Chandler (Arizona) sowie in Finnland, Schweden, China und Südkorea,
  • ein Servicevertrag für den Geschäftsübergang, in dessen Rahmen Infineon die wesentlichen Geschäftsvorgänge für etwa 90 Tage ausführen wird, um einen reibungslosen Übergang zu ermöglichen.

Darüber hinaus unterstützt Infineon Wolfspeed mit einer langfristigen Liefervereinbarung für LDMOS-Wafer und zugehörige Komponenten aus seiner Fabrik in Regensburg und durch Packaging- und Test-Dienstleistungen an seinem Standort Melaka, Malaysia. Die ebenfalls in Morgan Hill ansässigen Teile des Bereiches Chip Card & Security (CCS) verbleiben unverändert bei Infineon.

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