Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

4. Februar 2022, 10:19 Uhr | Ralf Higgelke

Im März 2021 hatte Toshiba bereits den Bau einer neuen 300-mm-Waferfab angekündigt, aber nun legt das Unternehmen nach. Am Standort in der Präfektur Ishikawa entsteht ab dem Frühjahr 2023 eine weitere 300-mm-Waferfab ausschließlich für Leistungshalbleiter.

Toshiba hat bekannt gegeben, an seinem wichtigsten Fertigungsstandort für diskrete Halbleiter, der Kaga Toshiba Electronics in der Präfektur Ishikawa, eine neue 300-mm-Waferfab für Leistungshalbleiter zu errichten. Sie wird in zwei Phasen entstehen, sodass sich das Investitionstempo an die Marktentwicklung anpassen lässt. Geplanter Fertigungsbeginn für Phase 1 ist im Geschäftsjahr 2024. Wenn diese Phase ihre volle Kapazität erreicht haben wird, soll Toshibas Fertigungskapazität für Leistungshalbleiter 2,5-mal so hoch sein wie im Geschäftsjahr 2021.

Bislang deckte das Unternehmen die steigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern, indem es die Fertigungskapazitäten der 200-Millimeter-Linien erhöhte und den Fertigungsbeginn der ersten 300-mm-Fab, die Toshiba im März 2021 ankündigte, von der ersten Hälfte des Geschäftsjahres 2023 auf die zweite Hälfte des Geschäftsjahres 2022 vorverlegte.

Die neue Waferfab wird nach Unternehmensangaben eine erdbebensichere Struktur, verbesserte BCP-Systeme (Business Continuity Plan), einschließlich doppelter Stromleitungen, haben und über moderne energiesparende Produktionsmittel verfügen, um die Umweltbelastung zu verringern. Außerdem soll die Fab ausschließlich erneuerbare Energien nutzen. Die Produktqualität und die Produktivität sollen durch die Einführung künstlicher Intelligenz und automatisierter Wafer-Transportsysteme verbessert werden.