Ab nächstem Jahr wird Texas Instruments den Bau der ersten der beiden neuen 300-mm-Wafer-Fabs in Sherman, Texas, beginnen, die ab 2025 Produkte liefern soll. Der Standort bietet Potenzial für bis zu vier Fabs, um die anhaltend hohe Nachfrage auf dem Industrie- und Automobilmarkt zu bedienen.
Texas Instruments hat bekannt gegeben, im nächsten Jahr mit dem Bau seiner neuen 300-mm-Wafer-Fab in Sherman, Texas, zu beginnen. Der Standort in Nordtexas bietet Potenzial für bis zu vier Fabs, um die Nachfrage im Laufe der Zeit befriedigen zu können, denn das Halbleiterwachstum im Bereich Elektronik, insbesondere auf dem Industrie- und Automobilmarkt, wird voraussichtlich bis weit in die Zukunft anhalten. Der Baubeginn für die beiden ersten Fabriken ist für 2022 geplant.
Die neuen Fabriken werden die bereits bestehenden 300-mm-Fabs des Unternehmens ergänzen, zu denen DMOS6 (Dallas, Texas), RFAB1 und die in Kürze fertig werdende RFAB2 (beide in Richardson, Texas) gehören, die voraussichtlich in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 die Produktion aufnehmen wird. Außerdem wird die kürzlich von TI übernommene LFAB (Lehi, Utah) voraussichtlich Anfang 2023 in Betrieb gehen.
»Die geplanten 300-mm-Fabs von TI für analoge Bausteine und eingebettete Prozessoren am Standort Sherman sind Teil unserer langfristigen Kapazitätsplanung, mit der wir unseren Wettbewerbsvorteil in den Bereichen Fertigung und Technologie weiter ausbauen und die Nachfrage unserer Kunden in den kommenden Jahrzehnten bedienen wollen«, erklärte Rich Templeton, Chairman, President und CEO von TI. »Unser Engagement in Nordtexas erstreckt sich über mehr als 90 Jahre, und diese Entscheidung ist ein Beweis für unsere starke Partnerschaft und Investition in die Gemeinde Sherman.«
Mit der Produktion in der ersten neuen Fabrik soll bereits 2025 begonnen werden. Durch die Option, bis zu vier Fabs errichten zu können, könnte das Investitionspotenzial am Standort insgesamt rund 30 Mrd. US-Dollar erreichen und im Laufe der Zeit somit 3000 direkte Arbeitsplätze schaffen.