Sie haben Ihr SiC-Engagement im März dieses Jahres mit der Übernahme der Hochfrequenz-Leistungskomponenten von Infineon noch weiter ausgebaut. Welchem Ziel folgt diese 345-Millionen-Euro-Investition?
Unser Ziel ist es, mit dieser Akquisition unsere Stellung am Markt für Mobilfunkinfrastruktur zu stärken. Das Know-how und die Experten, die wir im Zuge der Übernahme von Infineon erhalten haben, erweitern unser bestehendes Angebot bei Wolfspeed um zusätzliche Technologien, Design-Kompetenz sowie Fertigungskapazitäten, Gehäusetechnologien und Kundenbeziehungen. Das kombinierte Geschäft wird eine führende Marktposition im Bereich Transistoren und MMICs für drahtlose Infrastruktur-Hochfrequenz-Leistungskomponenten haben, die auf LDMOS- und GaN-auf-SiC-Technologie basieren.
Es fällt auf, dass im SiC-Bereich bislang noch keine Foundries aktiv geworden sind. Halten Sie einen zukünftigen Einstieg der Foundries ins SiC-Geschäft für möglich?
Aus heutiger Sicht nein. Die Bedeutung der Foundries im klassischen Halbleitergeschäft resultiert ja aus den immensen Kosten, die für den Bau neuer Produktionsstätten notwendig sind. Im Leistungshalbleiter-Bereich sind die Kosten für den Bau neuer Fertigungsstätten geringer. Aus diesem Grund fertigen die Player im SiC-Bereich auch alle selbst. Ob sich das in Zukunft ändern wird, lässt sich heute noch nicht absehen.
Wolfspeed fertigt bisher ausschließlich Planar-SiC-MOSFETs. Arbeiten Sie an Trench-SiC-MOSFETs und, wenn ja, ab wann können die Anwender mit ihrer Verfügbarkeit rechnen?
Wir arbeiten in unserer R&D-Abteilung an Trench-SiC-MOSFET-Lösungen, ich möchte aber ausdrücklich betonen, dass das R&D-Aktivitäten sind. In den nächsten Jahren werden wir unser Hauptaugenmerk aber weiterhin auf Planar-SiC-MOSFETs richten.
Wolfspeed hat auch Pläne für ein SiC-IGBT angekündigt. Wie weit sind Sie in diesem Bereich?
In diesem Bereich ist es unser Ziel, künftig Lösungen bis 10 kV anzubieten.
Bleiben wir bei den SiC-MOSFETs. Wie sieht da die Produktstrategie der nächsten Jahre aus? Werden Sie tiefer als 650 V gehen? Bis in welchen Sperrspannungsbereich wollen Sie das Produktspektrum in Zukunft ausbauen?
Wir werden mit den SiC-MOSFETs auf keinen Fall unter 650 V gehen, das ist klar. Unser Ziel ist es, das in der Branche breiteste Portfolio anzubieten, das von 650 V über 900 V bis 1000 V, 1200 V und 1700 V reicht. Vorstellbar wäre noch ein SiC-MOSFET mit 3,3 kV Durchbruchspannung. An entsprechenden Produkten arbeiten wir bereits in unserer Entwicklungsabteilung.
Als Cree in das SiC-MOSFET-Geschäft einstieg, war Digi-Key der Distributor, über den Sie diese Produkte in den Markt gebracht haben. SiC dürfte aber bis heute vor allem ein Direktgeschäft sein. Wollen Sie den Distributionsanteil bei Wolfspeed ähnlich ausbauen wie im klassischen Halbleitergeschäft?
Ich bin ein großer Anhänger der Distribution! Sie hat einen entscheidenden Beitrag zum Erfolg der Halbleiterbranche geliefert. Ich habe seit meinem Beginn bei Cree eine Vielzahl von Gesprächen auch mit Distributionspartnern geführt. Ich möchte sie in Zukunft zu einem Teil der Familie machen. Wenn uns das gelingt, bin ich mir sicher, dass wir in Zukunft den Distributionsanteil bei Wolfspeed auf über 50 Prozent steigern können.
Könnten mit der Refokussierung von Cree für die Zukunft auch Akquisitionen im SiC-Bereich verbunden sein?
Akquisitionen machen dort Sinn, wo sie unsere existierende Marktstellung weiter stärken und ausbauen. Eine Möglichkeit wäre da beispielsweise der Bereich Packaging.
Eine private Frage zum Schluss: Sie hatten sich zum Ziel gesetzt, in Ihrer Auszeit Gitarre zu lernen. Haben Sie auch dieses Ziel erreicht?
Ich stelle mich gerne Dingen, die auf den ersten Blick unmöglich erscheinen. Ja, ich habe jeden Tag Gitarre gespielt, sehen Sie sich meine Fingerkuppen an. Heute bin ich in der Lage, ganz leidlich die Songs meiner Lieblingsband, der Eagles, zu spielen. Ich habe das Jahr Auszeit aber auch dazu genutzt, mit meiner Frau einmal alle Nationalparks in den USA zu besuchen.