JEDEC-Ausschuss gebildet
Standardisierung bei GaN und SiC
Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind die am weitesten ausgereiften Wide-Bandgap-Leistungshalbleitermaterialien, doch gibt es kaum Normen in diesem Bereich. Nun hat die JEDEC den Ausschuss JC-70 gebildet, der sich der Standardisierung annehmen soll.
Die JEDEC Solid State Technology Association hat die Gründung eines neuen JEDEC-Komitees bekanntgegeben: JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors. Unter der Leitung von Infineon, Texas Instruments und Wolfspeed wird das neue JC-70-Komitee zunächst zwei Unterausschüsse bilden: Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC). Sie werden sich jeweils auf Zuverlässigkeits- und Qualifizierungsverfahren, Datenblatt-Bestandteile und Parameter sowie Test- und Charakterisierungsmethoden konzentriert.
Zum ersten Mal trift sich das Komitee am 5. Oktober 2017 in Albuquerque (New Mexico) im Rahmen des fünften IEEE-Workshops zu Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA). JEDEC-Treffen stehen nur Ausschussmitgliedern und geladenen Gäste offen, interessierte Unternehmen weltweit sind eingeladen, der JEDEC beitreten, um an den Standardisierungsarbeiten teilzunehmen.
Während eines Branchentreffens im Frühjahr 2016 wurde eine Arbeitsgruppe gegründet. Als GaNSPEC DWG benannt, begann diese, die notwendigen Grundlagen für die Entwicklung von Standards für GaN zu legen. Kurz darauf begann die JEDEC die Gruppe logistisch zu unterstützen.
Schon bald wurde die GaNSPEC DWG mit einem Gegenstück verbunden: der SiCSPEC-Arbeitsgruppe. Beide Gruppen wuchsen auf fast 50 Bauteil- und Ausrüstungshersteller, Technologieschaffende, akademischen Vertreter und Regierungslabore aus den USA, Europa und Asien.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
JEDEC / Galliumnitrid
Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren bewerten
Wide-Bandgap-Halbleiter
Wie JC-70 an Standards für GaN und SiC arbeitet
Galliumnitrid-Transistoren
Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand
Texas Instruments / Galliumnitrid
Drei neue Leistungsstufen mit 600-V-GaN-Transistoren
VisIC Technologies kooperiert mit TSMC
Erstes GaN-auf-Silizium-Powermodul schafft 1200 V/50 A
Epi-Wafer von Allos Semiconductor
GaN-auf-Si für 1200 V in Sicht
Galliumnitrid / MIT
Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich
IEDM 2017
Widerstand von SiC-MOSFETs um zwei Drittel senken
600-V-GaN-HEMTs von Texas Instruments
Besser sperren als bei der Kaskode
Interview mit Tim McDonald, Infineon
»CoolGaN konkurriert nicht mit CoolMOS«
Siliziumkarbid
SiC-MOSFETs parallelisieren
3-kW-Server-Stromversorgung von Eltek
Mit CoolGaN zu 98 Prozent Wirkungsgrad
North Carolina State University
Foundry-Prozess für Siliziumkarbid
Verbesserter Wirkungsgrad
Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V
Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017
Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter
Anwenderforum Leistungshalbleiter
GaN? SiC? Oder doch lieber Silizium?
Microsemi tritt PowerAmerica bei
SiC-MOSFETs und -Dioden für 1,7 kV und 3,3 kV im Fokus
Texas Instruments / Galliumnitrid
Keine Explosionen mehr durch integrierte GaN-Transistoren
BMW i Ventures
Strategische Investment in GaN Systems
Leistungs-MOSFETs
SiC aus der CMOS-Fab
Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial
Licht aus dem Schatten des Siliziums
Nachlese APEC 2017
SiC startet in den Massenmarkt
APEC 2017
SiC-MOSFETs richtig eindesignen
Geplatzte Wolfspeed-Übernahme
Was sagt Infineon?
