Verbesserter Wirkungsgrad
Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V
Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 ist das neueste Mitglied der CoolSiC-Diodenfamilie von Infineon. Für die Entwicklung der sechsten CoolSiC-Dioden-Generation hat Infineon ein neues Layout, eine neue Zellstruktur und ein neues proprietäres Schottky-Metallsystem gewählt.
Damit erzielt die CoolSIC-Schottky-Diode 650 V G6 eine Durchlassspannung UF von 1,25 V. Das Produkt aus Qc und UF ist um 17 % geringer als bei der Vorgängergeneration. Das verwendete Siliziumkarbid sorgt dafür, dass die Diode temperaturunabhängig schaltet und keine Sperr-Erholladung aufweist.
CoolSiC-G6-Dioden adressieren aktuelle und zukünftige Anwendungen in den Bereichen Server-, PC- und Telekommunikations-Stromversorgungen sowie PV-Wechselrichter. Bei dem Design des Bausteins wurde der Wirkungsgrad über alle Lastfälle hinweg optimiert und gleichzeitig die Leistungsdichte des Systems erhöht.
Außerdem punktet die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 von Infineon mit ihrem geringen Kühlungsbedarf, ihrer hohen Systemzuverlässigkeit und dem schnellen Schaltverhalten.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Leistungsstarkes Trench-Konzept
Die Grenzen von SiC überwinden
North Carolina State University
Foundry-Prozess für Siliziumkarbid
Newport Wafer Fab
Infineon verkauft Produktionsstandort an Neptune 6
Ab sofort Vorschläge einreichen!
Call for Papers für die PCIM Asia
JEDEC-Ausschuss gebildet
Standardisierung bei GaN und SiC
