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Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Strom mit nur einem Bauelement in beide Richtungen steuern zu können, das ist der Heilige Gral der Leistungselektronik. Auf der PCIM in Nürnberg wurde deutlich, dass das auch für HF- und HV-Anwendungen möglich sein werde.

PCIM Expo & Conference 2025

Mehr Aussteller, mehr Hallen, mehr Vorträge

Effizienz und Nachhaltigkeit, auf diese beiden Themen lässt sich der Fokus der…

Fortschritte bei 160-GHz-Netzen

Meilenstein für die 6G-Technologie erreicht

Die Fraunhofer-Institute IAF und HHI sowie LG Electronics treiben die drahtlose…

Neues Halbleitermaterial

AlYN für energieeffizientere und leistungsfähigere Elektronik

Mit Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) ist es Forschern des Fraunhofer-Instituts IAF im Sommer…

Verschränkung über 20 m

Optische Quantencomputer holen auf

Dem vom Fraunhofer IAF koordinierten Konsortium des BMBF-Projekts »SPINNING« ist es…

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT…

Neues Halbleitermaterial

Wie AlYN energieeffizientere Elektronik ermöglichen soll

Eine Forschungsgruppe des Fraunhofer IAF hat das vielversprechende neue Halbleitermaterial…

Mit ARCTIC zu kryogenem Computing

EU-Projekt für skalierbare Quantenprozessoren

Um künftig leistungsstarke Quantencomputer nutzen zu können, braucht es entsprechende…

Fraunhofer IAF

1200-V-GaN-HEMTs für die Energiewende

Das Fraunhofer IAF entwickelt neuartige Technologien für laterale und vertikale…

Kryogener On-Wafer-Prober

Qubit-Bauelemente optimieren und skalieren

Mit dem neuen kryogenen On-Wafer-Prober können Forscher des Fraunhofer IAF die…