Die 5-nm-IC-Generation
IBM: Nanosheet-Transistoren statt FinFETs
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
EUV ermöglicht maßgeschneiderte Transistoren
In der Lithografie setzen die Forscher wie schon für die 7-nm-ICs auf EUV (Extreme Ultraviolett). Dieses Verfahren erlaubt es, die Nanoschichten kontinuierlich auf die jeweils gewünschten Eigenschaften der resultierenden Transistoren in einem einzigen Fertigungsschritt einzustellen – das wäre mit FinFET-Transistoren nicht möglich. Hier definiert die Höhe der Fins den Strom durch den Transistor. Zwar können die FinFETs auch auf 5 nm skaliert werden, aber den Abstand zwischen den Fins zu verringern, führt nicht dazu, dass mehr Strom für fließen kann, um eine höhere Leistungsfähigkeit zu erreichen.
»Bereits 2018 planen wir den 7-nm-Prozess in unserer Fab 8 hochzufahren und entwickeln parallel dazu die Prozesstechnik der nächsten Generation auf der 5-nm-Ebene, um unsere Kunden in die Lage zu versetzen, noch kleinere, schnellere, und kosteneffizientere ICs produzieren zu können«, sagt Gary Patton, CTO und Head of Worldwide R&D von Globalfoundries.
IBM arbeitet bereits seit zehn Jahren an der Entwicklung der Nanosheet-Technik. Die Forschungsarbeiten haben Wissenschaftler der beteiligten Firmen in der von IBM geführten Allianz im NanoTech Complex an den SUNY Polytechnik Institute Colleges of Nanaoscale Science and Engineering in Albany durchgeführt. »Die Partnerschaft von SUNY Poly mit IBM und Empire State Development zeigt, dass die Industrie, Regierungsstellen und die akademischen Forschungseinrichtungen erfolgreich zusammen arbeiten können – zum Nutzuen der ganzen Gesellschaft«, sagt Dr. Bahgat Sammakia, Interim President vom SUNY Polytechnic Institute.
Jobangebote+ passend zum Thema
- IBM: Nanosheet-Transistoren statt FinFETs
- EUV ermöglicht maßgeschneiderte Transistoren
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Der erste 2-nm-Prozess
50 Mrd. Transistoren auf einem IC
Globalfoundries
Die richtige Technologie für die richtige Applikation
Globalfoundries
Erste Designs auf der 7-nm-FinFET-Ebene
Samsung Electronics
Roadmap zu 4 nm
Im Speicher-Glück
Samsung verdrängt Intel vom Spitzenplatz
Neuer Einsatz für Watson
Künstliche Intelligenz prüft Qualität von Werkstücken
IBM macht (fast) alles möglich
Digitaler Zwilling, schlaue Roboter und Aufzug mit KI
Industrie 4.0 war gestern
Künstliche Intelligenz – der nächste Multimilliardenmarkt
IBMs neuer Watson IoT Hauptsitz München
Der erste Blick hinter die Kulissen
IoT-Ecosystem MindSphere
Siemens und IBM bringen Watson Analytics auf MindSphere
IC Insights
Die Top 20 Halbleiterhersteller 2016
Kommentar
Gute Zeiten für ICs!
