Startseite > Halbleiter > HBMs von SK hynix auf zwei Jahre ausverkauft

Dank KI-Boom

HBMs von SK hynix auf zwei Jahre ausverkauft

7. Mai 2024, 6:15 Uhr | Heinz Arnold

Weil HBM-DRAMs knapp sind, baut SK hynix die neue Fab »M15X« in Cheongju/Korea, die auch für die Produktion von HBM-DRAMs ausgelegt ist. Im dritten Quartal 2026 soll die Produktion starten.

Die HBM-DRAMs von SK hinix sind für 2024 komplett und für 2025 fast ausverkauft. Ab dem dritten Quartal will SK hynix die Massenfertigung der neusten HBM-DRAMs mit 12-Layern aufnehmen.

▶ Diesen Artikel anhören

»Muster der neuen »HBM3E«-Speicher liefern wir ab Mai«, sagte Kwak Noh-jung, CEO von SK hynix auf einer Pressekonferenz in Icheon/Korea. Hier erklärte er auch, dass die HBM-DRAMs – HBM steht für High Bandwidth Memory –, die mit Hilfe der zur Verfügung stehenden Kapazitäten in diesem Jahr gefertigt werden könnten, bereits vollständig an Kunden verkauft seien, die HBMs, die 2025 gefertigt werden können, schon zum größten Teil. Die »HBM3E«-Speicher von SK hynix erreichen eine Kapazität von 36 GB und eine Geschwindigkeit von 1,18 TB/s.

Erst kürzlich hatte Samsung angekündigt, 12-Layer-»HBME3« Chips bereits ab dem zweiten Quartal in die Stückzahlproduktion zu bringen, um aufzuholen.

SK hynix sieht sich auch technisch vorne

Das ficht Kwak nicht an: Die eigene Advanced-Packaging-Technologie, die unter anderem auf dem »Mass Reflow Molded Underfill«-Prozess, kurz »MR-MUF«, beruht, erlaube es, HBM-DRAMs zu fertigen, deren Energieaufnahme unter der vergleichbarer auf dem Markt erhältlicher Produkte liege. Laut TrendForce ist es SK hynix gelungen, in ihrem »MR-MUF«-Prozess für die Fertigung der 12-Layer-HBMs neue Materialien einzusetzen, die die Verlustwärme noch einmal um 10 Prozent reduzieren.

Zusammenarbeit mit TSMC

Dieser Prozess soll auch für die Produktion der neuen HBM4-Generation mit 16 Layern verwendet werden. Hier hat SK Hynix eine Partnerschaft mit TSMC geschlossen: Zwar wird der DRAM-Stapel des HBM mit Hilfe der eigenen Through-Silicon-Via- und »MR-MUF«-Prozesse gefertigt, doch soll der sogenannte Basis-Chip mit Hilfe der Advanced Packaging-Technologie von TSMC auf die GPU gesetzt werden, die den HBM steuert.

Jobangebote+ passend zum Thema

Trainee Vertrieb und Produktmanagement (m/w/d) für Berufs- und Quereinsteiger

GLYN GmbH & Co. KG, Idstein

Auszubildende zum Kaufmann für Groß- und Außenhandelsmanagement (m/w/d) FR Großhandel mit dem Schwerpunkt Vertrieb

GLYN GmbH & Co. KG, Idstein

Vertriebsinnendienst / Account Manager (m/w/d)

GLYN GmbH & Co. KG, Idstein

Alle Jobangebote im Elektroniknet Karrierebereich anzeigen

Früher Einstieg: 50 Prozent HBM Marktanteil

Immerhin habe SK hynix bereits sehr früh in die HBM-Technologie investiert und 2013 den ersten HBM-Speicher auf den Markt gebracht. »Unsere HBMs sind nicht vom Himmel gefallen, sondern basieren auf unseren neusten DRAM-Technologien«, sagt Kwak. Der Gesamtumsatz, den SK hynix mit HBMs ab 2013 realisiert haben werde, würde sich bis 2024 auf 10 Mrd. Dollar addieren.

Der frühe Einstieg hat sich gelohnt: SK hynix kam 2022 laut TrendForce auf einen Anteil von 50 Prozent und war damit Marktführer, dicht gefolgt von Samsung mit 40 Prozent und Micron mit 10 Prozent. Künftig würden sich SK hynix ein Kopf-an-Kopfrennen liefern und beide auf einen Anteil zwischen 46 und 49 Prozent kommen, Micron würde auf 3 bis 5 Prozent zurückfallen.

SK hynix ist Schlüsselllieferat für Nvidia

Die HBM-DRAMs erfreuen sich derzeit einer hohen Nachfrage, weil sie rund um KI zum Einsatz kommen, insbesondere in der generativen KI. SK hynix sieht sich als Schlüsselllieferanten für KI-Chiphersteller Nvidia und versorgt ihn seit März dieses Jahres mit den neusten 8-Layer-»HBM3E«-Chips, die das Unternehmen seit März in Stückzahlen produziert.

»Wir rechnen damit, dass die KI-Technologien schnell in weitere Marktsektoren wie Smartphones, PCs und Autos vordringen werden«, sagte Kwak. »Deshalb wird der Bedarf nach ultraschnelle Low-Power-Speicher mit hoher Kapazität für den Einsatz in KI-Geräten weiter exponentiell steigen.« Die global generierte Menge an Daten werde in der KI-Ära bis 2030 auf 660 ZB ansteigen. 1 ZB entspricht 1 Million TB. Dieser Aufschwung werde auch die konventionellen Speicher wir NAND-Flash-ICs mit nach oben reißen, was einen weiteren Aufschwung für das NAND-Geschäft von SK hynix bedeute.

HBMs: 60 Prozent am DRAM-Markt bis 2028

Laut SK hynix werden KI-Speicherprodukte wie HBMs und High-Capacity-DRAM-Module, die 2023 einen Anteil von 5 Prozent am Gesamtmarkt einnehmen, bis 2028 auf nicht weniger als 68 Prozent kommen und ihn damit klar dominieren.
Er zeigte sich zuversichtlich, auch über die kommenden Jahre den Vorsprung vor Wettbewerbern wie Samsung und Micron halten zu können.

Starker Kapazitätsausbau

Um die Kapazitäten zu erweitern, will SK Hynix 3,85 Mrd. Dollar in den Aufbau einer neuen DRAM-Fertigung stecken: Die Fab »MX15« in Cheongju im Süden von Korea soll im dritten Quartal 2026 die Produktion aufnehmen.

Außerdem sollen 4 Mrd. Dollar in R&D-Einrichtungen und eine Fab für Advanced Packaging in den USA fließen, die in West Lafayette, Indinana, gebaut wird. Hier soll die Stückzahlfertigung der nächsten HBM-Generation in der zweiten Hälfte 2028 starten.

Drohen Überkapazitäten?

Kwak ist überzeugt, dass der Aufbau dieser Kapazitäten nicht zu einem Überangebot führen werde: »Der HBM-Markt wird noch lange auftragsbestimmt sein.« Die HBMs würden sich von herkömmlichen Speicher-Chips dadurch unterscheiden, dass SK hynix dies Produkte erst dann herstellt, nachdem die Aufträge dafür eingegangen sei. »Unsere Investitionen und Produktionspläne erstellen wir auf Grundlage der Aufträge, das senkt das Risiko, Überkapazitäten aufzubauen.«

SK hynix in China

Das Geschäft mit China spielt für SK hynix ebenfalls eine wichtige Rolle. Das Unternehmen will die engen Beziehungen zu chinesischen Kunden weiter aufrechterhalten und arbeitet an einer langfristigen Strategie für die Fab in Dalian in China. »Wir haben uns stark auf den US-Markt konzentriert, doch China ist ebenfalls ein wichtiger Markt mit großem Potential«, so Kwak.