14 Prozent Marktanteil
Plus 260% mehr HBM-DRAM-Bits in 2024
Um 260 Prozent pro Jahr wird die Kapazität für DRAM-High-Bandwidth-Memory laut TrendForce steigen. Von 8,4 Prozent 2023 wird ihr Umsatzanteil in diesem Jahr auf 20,1 Prozent springen.
Denn die Hersteller investieren wegen der hohen HBM-Preis kräftig in den Ausbau dieses Sektors. Avril Wu, Senior Vice President von TrendForce, prognostiziert, dass die Hersteller bis Ende 2024 250.000 Waferstarts pro Monat der Fertigung von HBM-DRAMs gewidmet haben werden – 14 Prozent der gesamten DRAM-Kapazität.
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Gegenüber den DDR5-DRAMs gleicher Speicherkapazität liegt die Die-Fläche der HBM-DRAMs um 35 bis 45 Prozent höher. Die Ausbeute einschließlich der Through-Silicon-Via-Packaging-Technik, die erforderlich ist, um die DRAMs in den HBM-Gehäusen übereinander zu stapeln, liege um 20 bis 30 Prozent unter der von DDR5-DRAMs. Der Herstellungsprozess der HBMs nehme um 1,5 bis 2 Monate mehr Zeit in Anspruch. Vom Wafer-Start bis zum anschließenden Packaging gingen über zwei Quartale ins Land. Also müssten die Anwender die HBMs früher ordern. Die meisten Aufträge für 2024 seien bereits bei den Herstellern eingegangen.
Samsung und SK hynix verfolgen die ambitioniertesten Ausbaupläne. Samsung will bis Ende des Jahres auf 130.000 Wafer-Starts pro Monat kommen, einschließlich des Through-Silicon-Via-Packaging (TSV). Die Kapazität von Sk hynix beträgt laut Wu 120.000 Waferstarts pro Monat. Was den Marktanteil angeht, liegt SK Hynix mit nicht weniger als 90 Prozent im Bereich der HBM3-Speicher vorne. Samsung werde mit der Einführung des »MI300« von AMD dicht folgen.
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