Nachlese APEC 2016
GaN und Magnetics im Brennpunkt
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Zweiter Konferenztag
Vormittags besprach Dr. Supratim Basu von Bose Research, welche Design- und Layout-Änderungen notwendig seien, wenn Anwender von Silizium- auf Siliziumkarbidschalter umsteigen wollen. Letztendlich gelten die gleichen Layout-Regeln wie bisher, nur jetzt werden sie noch wichtiger. Besondere Aufmerksamkeit sollten Layouter daher der "heißen" Schleife widmen (Bild 6). Wörtlich sagte er: "Dort kommt es auf jeden Millimeter an; es bedeutet Leben oder Tod." Gemeint ist damit wieder die Streuinduktivität. Danach erst könne man sich der Platzierung des Treibers widmen. Beim Gate-Treiber sei es wichtig, dass er genau das richtige Maß an Energie dem SiC-MOSFET zuführe. Ist es zu viel und zu schnell, schwingt das Gate über, ist es zu wenig und zu langsam, steigen die Verluste. Es kommt daher auf die richtige Dimensionierung des Gate-Widerstands an. Bereits eine Gate-Spannung von 6 V könne einen GaN-Schalter zerstören.
Der Nachmittag hatte einen ersten Höhepunkt: die Plenary Session. Im ersten Vortrag beklagte Tony Sagneri, CTO von FINsix, dass von 2003 bis 2013 die Leistungsdichte in Laptop-Netzteilen trotz großer technischer Fortschritte - nicht gestiegen sei. Das Start-up hat vor kurzem ein 65-W-Laptop-Adapter vorgestellt, das nur ein Viertel so groß sei wie vergleichbare Netzteile. Und auch er sieht, dass die magnetischen Bauelemente hinterherhinken und zu hohe Verluste haben. Er plädierte daher für Luftspulen. Michael Harrison von Enphase wiederum legte den Finger in eine andere Wunde: Sämtliche modernen digitalen PWM-Controller emulierten eigentlich nur den ursprünglichen analogen PWM-Controller aus dem Jahr 1976. Das ist jetzt 40 (!) Jahre her. So kam er zu dem Schluss, heute gebe es viele bessere Regelungsalgorithmen. Dan Kinzer, CTO und COO von Navitas, beschrieb anschaulich wie die proprietäre "AllGaN"-Plattform alle Probleme rund um die Verwendung von GaN-Schalttransistoren aus dem Weg räumt. Zudem machte er darauf aufmerksam, dass es nicht sinnvoll sei, sehr schnell schaltende WBG-Halbleiterbauteile in Standardgehäuse wie TO-220 oder TO-247 zu verpacken. Dr. Ray Ridley schließlich warf Licht auf die Zukunft der Magnetbauteile. Seiner Auffassung nach bestehe das große Manko darin, dass Universitäten im Mittel nur 26 Minuten aufwenden, um Studenten mit der Theorie von Kondensatoren vertraut zu machen, fünf Minuten für Spulen und zu Transformatoren schweigen (Bild 6). Dies erkläre, warum es so viel Halbwissen in diesem Bereich gäbe.
Zum Ende der Plenary Session stellte David Hill von Power Clinic die beliebtesten Gründe vor, warum Netzteile ihren Dienst versagen (siehe Bilderstrecke unten).
Warum Stromversorgungen ausfallen
- GaN und Magnetics im Brennpunkt
- Zweiter Konferenztag
- Dritter Konferenztag
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Leistungselektronik
Produkt-Highlights der Virtual APEC 2021
APEC 2019
CEOs von Power Integrations, Navitas und GaN Systems im Interview
Interview mit Professor Leo Lorenz, ECPE
»Die Passiven sind der Flaschenhals«
Rückblick APEC 2018
Integration auf mehreren Ebenen
Nachlese APEC 2017
SiC startet in den Massenmarkt
APEC 2017
Kolar enthüllt seinen Beitrag zur Google Little Box Challenge
Galliumnitrid-HEMTs
GaN im Einsatz
Navitas Semiconductor
GaN-Power-ICs qualifiziert und verfügbar
Fraunhofer IAF
Galliumnitrid-Schaltungen monolithisch integriert
Passive Bauelemente
Magnetics für GaN und SiC
Panasonic
Spezielles Treiber-IC für GaN-Transistoren
Treiber für GaN-Transistoren
Optimierte Performance
Marktstudie von Yole Développement
Die GaN-Halbleiterindustrie ist Fast & Furious
Leistungshalbleiter-Hersteller IXYS
Doppelspitze mit Uzi Sasson und Nathan Zommer
Vishay Intertechnology
Online-Tool berechnet Impedanz von Ferritperlen
Dialog Semiconductor
Hochintegriertes GaN-Bauteil für Schnelladegeräte
Interview mit Alex Lidow, CEO von EPC
»Ich hasse Gehäuse!«
Jetzt noch schnell anmelden!
Anwenderforum Bauelemente »Passive für Profis«
Interview mit Dan Kinzer
»Silizium sollte sich warm anziehen«
Interview mit Balu Balakrishnan
»Mein Margarita-Moment«
Keynote mit Dr. Georg Kügerl
Anwenderforum »Passive für Profis«
Vishay Sfernice
170 g leichter Planartransformator für bis zu 3 kW
Teilchenbeschleuniger auf Mikrochip
DESY's Mini-Teilchenbeschleuniger
ABB
Neue Leistungshalbleiter für die Energiewende
Anwenderforum »Passive für Profis«
»Hühnerfutter« war gestern
Exklusiv-Interview mit Prof. Leo Lorenz
Halbleiter sind das neue Öl
Interview mit Jochen Hüskens, Rohm Semiconductor
Gräben machen Siliziumkarbid besser
Wide-Bandgap-Materialien
GaN gibt Gas
SEMICON Europa 2015
»Silizium bleibt das Arbeitspferd der Leistungselektronik«
Superjunction-MOSFETs für hart und resonant…
Die Alternative zu GaN
Aus neuartigen Technologien sind einsetzbare…
Um SiC und GaN wächst ein leistungsstarkes Ökosystem
